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公开(公告)号:CN117325520A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311215592.4
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温合金用双层粘结层合金及其应用,属于材料表面改性和涂层技术领域。该双层粘结层合金的底层成分以质量百分比计组分如下:Al为8.9%‑9.4%,Co为7.5%‑8.0%,W为4.9%‑5.4%,Ta为4.4%‑4.9%,Cr为2.6%‑3.1%,Ti为1.4%‑1.6%,Mo为≤0.2wt%,Hf为≤0.2wt%,其余为Ni;该双层粘结层合金的顶层成分以质量百分比计组分如下:Al为19.0%‑19.5%,Co为10.0%‑10.5%,Cr为6.9%‑7.4%,Ta为0.8%‑1.0%,Ti为0.2%‑0.3%,其余为Ni。本发明针对镍基高温合金,设计了双层粘结层结构,通过提升粘结层中Al元素的含量,结合相组成与基体匹配相容的理念进行涂层成分的设计,在提高合金中Al元素含量的前提下,确定γ’相及β相的元素组成,最终设计得到双层粘结层的成分。
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公开(公告)号:CN117144194A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311213889.7
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温合金用三层粘结层合金及其应用,属于材料表面改性和涂层技术领域。该高温合金用三层粘结层采用相组成相近的设计理念,以镍基高温合金为基础,在提高合金中Al元素含量的前提下,确定γ’相及β相的元素组成,最终设计得到三层粘结层的成分。其中,顶层β相以NiAl相为基础,含有较多的Al元素,可以提供足够的Al元素用于生成粘结层表面的Al2O3膜;底层γ’相以Ni3(Al,Ti)相为基础,与镍基高温合金的γ’/γ相的组成相似,保证底层粘结层与基体的界面相容性;中间层由β相和γ’相两相组成,以缓解顶层和底层的相不匹配。
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公开(公告)号:CN117144195A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311214092.9
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温合金用双相粘结层合金及其应用,属于材料表面改性和涂层技术领域。以质量百分比计组分如下:Al为12.4%‑12.9%,Co为8.4%‑8.9%,Cr为4.1%‑4.6%,W为3.0%‑3.5%,Ta为3.0%‑3.5%,Ti为1.0%‑1.2%,Mo为≤0.1%,Hf为≤0.1%,其余为Ni。本发明采用相组成相近的设计理念,以镍基高温合金为基础,在提高合金中Al元素含量的前提下,通过确定γ’相及β相的比例,结合两相各自的元素组成,最终确定粘结层的成分。本发明的双相粘结层合金能够有效解决由于高温抗氧化性能差和基体界面相容性问题而导致的合金涂层力学性能差的技术问题。
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公开(公告)号:CN117144192A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311213854.3
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温合金用单相β相粘结层合金及其应用,属于材料表面改性和涂层技术领域。本发明的单相β相粘结层合金,化学成分及质量百分比如下:Al为19.5‑19.0two%,Co为10.5‑10.0wt%,Cr为7.4‑6.9wt%,Ta为1.0‑0.8wt%,Ti为0.3‑0.2wt%,其余为Ni。800℃温度下粘结层合金由单相β相组成。本发明以镍基高温合金为基础,在提高合金中Al元素含量的前提下,通过确定β相的的元素组成,最终确定单相β相粘结层的成分。其中β相以NiAl相为基础,含有较多的Al元素,可以提供足够的Al元素用于生成粘结层表面的Al2O3膜。
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公开(公告)号:CN117144193A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311213872.1
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温合金用单相γ’相粘结层合金及其应用,属于材料表面改性和涂层技术领域。本发明的高温合金用单相γ’相粘结层合金,化学成分及质量百分比如下:包括:8.9%‑9.4%的Al,7.5%‑8.0%的Co,4.9%‑5.4%的W,4.4%‑4.9%的Ta,2.8%‑3.1%的Cr,1.4%‑1.6%的Ti,≤0.2%的Mo,≤0.2%的Hf,余量为Ni。本发明针对镍基高温合金,结合相组成与基体匹配相容的理念进行涂层成分的设计,在提高合金中Al元素含量的前提下,通过确定γ’的元素组成,最终确定粘结层的成分,其中γ’相以Ni3(Al,Ti)相为基础,与镍基高温合金的γ’/γ相的组成相似,保证粘结层与基体的界面相容性。
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