公开(公告)号：CN106587249A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611030175.2

申请日：2016-11-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 景蔚萱 ,  高崐 ,  周帆 ,  吴琼 ,  蒋庄德 ,  徐志鹏 ,  高伟卓 ,  崔奇兵

IPC: C02F1/30 ,  B01J23/06 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37 ,  C02F1/30 ,  B01J23/06 ,  B01J35/004 ,  C02F2101/30 ,  C02F2305/10

Abstract: 本发明公开了一种叉指形有机污染物光降解器及其制备方法，在玻璃基底上排列固定光纤纤芯，形成三维圆柱形微米级结构，在三维圆柱形微米级栅线结构上合成ZnO纳米线，得到的三维圆柱形跨尺度结构阵列在相同的投影区域内比平面结构具有更大的反应面积，有利于实现微流道的小型化；三维圆柱形微米级栅线结构上合成的ZnO纳米线发散性好，能够增大光催化的有效面积；同时，ZnO纳米线的表面活性高，易于产生电子空穴对，有利于提高光降解效率。

公开(公告)号：CN106587249B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201611030175.2

申请日：2016-11-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 景蔚萱 ,  高崐 ,  周帆 ,  吴琼 ,  蒋庄德 ,  徐志鹏 ,  高伟卓 ,  崔奇兵

IPC: C02F1/30 ,  B01J23/06 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37

Abstract: 本发明公开了一种叉指形有机污染物光降解器及其制备方法，在玻璃基底上排列固定光纤纤芯，形成三维圆柱形微米级结构，在三维圆柱形微米级栅线结构上合成ZnO纳米线，得到的三维圆柱形跨尺度结构阵列在相同的投影区域内比平面结构具有更大的反应面积，有利于实现微流道的小型化；三维圆柱形微米级栅线结构上合成的ZnO纳米线发散性好，能够增大光催化的有效面积；同时，ZnO纳米线的表面活性高，易于产生电子空穴对，有利于提高光降解效率。

公开(公告)号：CN106082120A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610541957.6

申请日：2016-07-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 景蔚萱 ,  周帆 ,  吴琼 ,  崔奇兵 ,  蒋庄德 ,  高伟卓 ,  徐志鹏

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒；其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位，形成ZnO纳米管；以上述ZnO纳米管为模板，采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线；最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板，不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线，也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。