公开(公告)号：CN112367051A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011403209.4

申请日：2020-12-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 郭诚 ,  舒敏杰 ,  张安学 ,  宋旭波 ,  梁士雄 ,  顾国栋 ,  张立森 ,  吕元杰 ,  冯志红

IPC: H03B19/14

Abstract: 本发明公开了基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，基于片上功率合成方案的二倍频器结构包括矩形波导输入端口、肖特基二极管倍频电路和矩形波导输出端口，所述的肖特基二极管倍频电路包括GaAs基片和位于该基片上成对的输入微带探针、肖特基二极管、带通滤波器、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路；输入信号在矩形波导输入端口处利用金属脊和波导‑微带探针过渡实现了空间功率分配，倍频信号在矩形波导输出端口处利用微带探针‑波导过渡实现了空间功率合成，从而极大减小了结构的电长度，进而实现了结构紧凑和低损耗性能，为所设计的太赫兹二倍频器提供了额外增益，此外也具有更容易装配和散热特性更好的优点。

公开(公告)号：CN112367051B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202011403209.4

申请日：2020-12-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 郭诚 ,  舒敏杰 ,  张安学 ,  宋旭波 ,  梁士雄 ,  顾国栋 ,  张立森 ,  吕元杰 ,  冯志红

IPC: H03B19/14

Abstract: 本发明公开了基于片上功率合成的太赫兹二倍频器及功率合成方法，基于片上功率合成方案的二倍频器结构包括矩形波导输入端口、肖特基二极管倍频电路和矩形波导输出端口，所述的肖特基二极管倍频电路包括GaAs基片和位于该基片上成对的输入微带探针、肖特基二极管、带通滤波器、输出微带探针、低通滤波器以及直流偏置电路；输入信号在矩形波导输入端口处利用金属脊和波导‑微带探针过渡实现了空间功率分配，倍频信号在矩形波导输出端口处利用微带探针‑波导过渡实现了空间功率合成，从而极大减小了结构的电长度，进而实现了结构紧凑和低损耗性能，为所设计的太赫兹二倍频器提供了额外增益，此外也具有更容易装配和散热特性更好的优点。