公开(公告)号：CN1223549C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200310122213.3

申请日：2003-12-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 陈寿田 ,  宁叔帆 ,  陈维 ,  刘斌

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅浆料的制备方法，特别涉及制备低粘度、高固相含量的SiC浆料的新方法，此浆料可用作碳化硅制品的胶态成型。本发明通过去除SiC粉体表面可溶性金属反离子和SiO2薄膜；调节SiC浆料pH值；搅拌分散：利用HF酸对碳化硅微粉进行酸洗处理，既可更有效地将碳化硅微粉表面的可溶性反离子去除，也可以降低碳化硅微粉表面的氧含量并以酸根离子取代OH-，降低表面羟基含量。本发明运用上述制备方法对不同产地的SiC微粉原料进行处理，可使相应的SiC微粉制备出的浆料粘度有不同程度地降低，固相含量得到大幅度提高，分别达到了56vol%、62vol%和65vol%，满足了陶瓷胶态成型的需要。

公开(公告)号：CN1554619A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200310122213.3

申请日：2003-12-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 陈寿田 ,  宁叔帆 ,  陈维 ,  刘斌

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅浆料的制备方法，特别涉及制备低粘度、高固相含量的SiC浆料的新方法，此浆料可用作碳化硅制品的胶态成型。本发明通过去除SiC粉体表面可溶性金属反离子和SiO2薄膜；调节SiC浆料pH值；搅拌分散；利用HF酸对碳化硅微粉进行酸洗处理，既可更有效地将碳化硅微粉表面的可溶性反离子去除，也可以降低碳化硅微粉表面的氧含量并以酸根离子取代OH－，降低表面羟基含量。本发明运用上述制备方法对不同产地的SiC微粉原料进行处理，可使相应的SiC微粉制备出的浆料粘度有不同程度地降低，固相含量得到大幅度提高，分别达到了56vol％、62vol％和65vol％，满足了陶瓷胶态成型的需要。