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公开(公告)号：CN117542711A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311512521.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子器件技术领域，涉及一种多环二维电子气发射的垂直真空三极管，所述垂直真空三极管内设置有真空沟道区域；在真空沟道区域构造出多环二维电子气发射结构。当在垂直真空三极管的中间部位预制两个环形槽时，多环二维电子气发射结构为四环结构；当在垂直真空三极管的中间部位预制一个环形槽时，多环二维电子气发射结构为双环结构。通过在传统单环形结构中构造出多个环形真空沟道，环形内壁便会形成多环二维电子气结构，增加电子发射的面积，相比普通的单环二维电子气发射的垂直型真空三极管，在同样的工作电压下，能获得更大的发射电流，增加栅极对发射电流的控制能力，降低器件的开启电压，整体上改进器件性能。
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