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公开(公告)号：CN113770347B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110977297.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种通过石墨片取向调控铜—石墨复合材料摩擦系数的方法，采用天然石墨片、微量合金元素铬、锡和超细铜粉，通过热压过程使石墨片定向排列，获得具有层状组织的烧结体，该烧结体经过特定角度精细切割加工即可获得石墨片与接触面之间具有特定角度的铜—石墨复合材料，通过改变石墨片与滑动面之间的夹角摩擦接触面上复合材料的力学和物理特性将发生变化，包括摩擦系数、磨损率和电导率，该复合材料具有低的摩擦系数、小的磨损率和良好的导电性，可有效缓解片层石墨润滑和导电性之间的拮抗现象。
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公开(公告)号：CN113770347A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110977297.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种通过石墨片取向调控铜—石墨复合材料摩擦系数的方法，采用天然石墨片、微量合金元素铬、锡和超细铜粉，通过热压过程使石墨片定向排列，获得具有层状组织的烧结体，该烧结体经过特定角度精细切割加工即可获得石墨片与接触面之间具有特定角度的铜—石墨复合材料，通过改变石墨片与滑动面之间的夹角摩擦接触面上复合材料的力学和物理特性将发生变化，包括摩擦系数、磨损率和电导率，该复合材料具有低的摩擦系数、小的磨损率和良好的导电性，可有效缓解片层石墨润滑和导电性之间的拮抗现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114804912A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210543502.3
申请日：2022-05-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种高韧性耐高温的氮化硅独石多孔陶瓷制备的方法，α‑Si3N4为原料，Y2O3为助剂，通过常压烧结的方法制备高长径比的β‑Si3N4晶须，以制备的β‑Si3N4晶须配置流延浆料，利用流延成型将氮化硅晶须进行定向排列制作薄膜并进行叠层制样，通过SiO高温蒸发气相渗入与纤维之间的残留碳进行反应获得氮化硅，制备得到氮化硅独石多孔陶瓷材料；本发明提出了纤维定向排列和二次氮化硅粘接的组织设计思路，实现纯氮化硅纤维构建的多孔陶瓷有效制备，通过定向排列发挥其各向异性的优势，从而有效的提高氮化硅陶瓷断裂韧性，通过纯氮化硅的粘接极大限度改善耐高温性能，大大拓展了多孔氮化硅陶瓷材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN113429196A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110406165.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种反应烧结法制备多孔Li2Si2O5陶瓷的方法，制备方法包括Li2Si2O5原料的选取、生料的获得、粉料成型和烧结；先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨混合均匀，再经干燥过筛得到生料，然后将生料模压成型，放入氧化铝坩埚中，置于空气炉中进行两步烧结，最后随炉冷却得到多孔的Li2Si2O5陶瓷；本发明得到的多孔Li2Si2O5材料呈现出棒状，纯度较高，组织大小均匀，具有较高的气孔率和一定的强度，具有广阔的应用前景，可以应用于电子、环保、化工和军工等领域。
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公开(公告)号：CN113429196B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110406165.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种反应烧结法制备多孔Li2Si2O5陶瓷的方法，制备方法包括Li2Si2O5原料的选取、生料的获得、粉料成型和烧结；先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨混合均匀，再经干燥过筛得到生料，然后将生料模压成型，放入氧化铝坩埚中，置于空气炉中进行两步烧结，最后随炉冷却得到多孔的Li2Si2O5陶瓷；本发明得到的多孔Li2Si2O5材料呈现出棒状，纯度较高，组织大小均匀，具有较高的气孔率和一定的强度，具有广阔的应用前景，可以应用于电子、环保、化工和军工等领域。
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公开(公告)号：CN112898040B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110154424.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β‑Si3N4多孔陶瓷材料的方法，以α‑Si3N4为原料，Y2O3为助剂，通过常压烧结的方法制备高长径比的β‑Si3N4晶须，以制得的β‑Si3N4模压成型后引入碳源，通过碳热还原方法于β‑Si3N4晶须搭接处生成α‑Si3N4，制备Si3N4搭接β‑Si3N4晶须多孔陶瓷材料；本发明解决了现有多孔氮化硅陶瓷室温和高温力学性能之间的矛盾，能够制得室温强度与同气孔率液相烧结氮化硅近似，但直至1500℃强度不下降的多孔氮化硅陶瓷，极大地改善了多孔氮化硅的高温力学性能，大大拓展了多孔氮化硅陶瓷材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN112898040A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110154424.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/593 , C04B35/622
Abstract: 一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β‑Si3N4多孔陶瓷材料的方法，以α‑Si3N4为原料，Y2O3为助剂，通过常压烧结的方法制备高长径比的β‑Si3N4晶须，以制得的β‑Si3N4模压成型后引入碳源，通过碳热还原方法于β‑Si3N4晶须搭接处生成α‑Si3N4，制备Si3N4搭接β‑Si3N4晶须多孔陶瓷材料；本发明解决了现有多孔氮化硅陶瓷室温和高温力学性能之间的矛盾，能够制得室温强度与同气孔率液相烧结氮化硅近似，但直至1500℃强度不下降的多孔氮化硅陶瓷，极大地改善了多孔氮化硅的高温力学性能，大大拓展了多孔氮化硅陶瓷材料的应用范围。
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