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公开(公告)号：CN102828216A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210357957.2
申请日：2012-09-24
Applicant: 西南石油大学
Abstract: 本发明涉及一种常温微弧氧化膜封孔方法，采用硅酸钠、镍盐、溶剂与促进剂配制的溶液作为封孔剂，封孔剂静置至少2小时后在常温下对微弧氧化膜采用浸泡的方式进行封孔，封孔后封孔剂在微弧氧化膜表面的微孔中形成吸附结晶填充物而达到封孔的目的。所述溶剂为去离子水，硅酸钠、镍盐、促进剂的配比为：硅酸钠5-15g/L，镍盐2-8g/L，促进剂0.1-2g/L。所述硅酸钠为五水硅酸钠或九水硅酸钠，所述镍盐为氟化镍、醋酸镍或其混合物，所述促进剂为硼酸、硫脲、氟锆酸钾或其混合物。本发明封孔剂溶液不需加热，在常温下即可操作，封孔效果好，简单易行，对陶瓷膜的硬度没有影响，同时可提高陶瓷膜的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN102877104A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210380181.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 西南石油大学
IPC: C25D11/02
Abstract: 本发明涉及一种低压快速微弧氧化技术，采用恒流脉冲氧化电源，硅酸盐体系氧化液，对铝、镁、钛、锆、铌等阀金属进行微弧氧化。所述恒流脉冲氧化电源，峰值电流10A-500A连续可调，基值电流为10A-500A连续可调，频率为50Hz-100Hz连续可调，占空比为10%-20%连续可调，电压在0V-200V变化。所述硅酸盐体系氧化液，由去离子水、硅酸钠、调节剂、低压起弧剂、增强剂组成。本发明与普通微弧氧化技术相比，氧化电压降到200V以下，制备相同厚度陶瓷膜的时间缩短为原来的三分之一到八分之一，微弧氧化能耗基本不变。陶瓷膜疏松层厚度明显降低，硬度平均提高HV300左右，达到HV1000以上。
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公开(公告)号：CN103233257A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310103493.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 西南石油大学
Abstract: 本发明涉及一种微弧氧化膜掺杂金属氧化物的制备技术，采用普通直流或交流微弧氧化电源，将铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金工件连接在电源的阳极，阴极采用普通的铅板或不锈钢板，将工件和阴极一起完全放入微弧氧化溶液中，在氧化溶液中加入经过活化工艺处理的钨、钼、钒金属粉末或其混合物，在5-100A/dm2的电流密度下，机械搅拌使溶液中的钨、钼、钒中一种或多种金属粉末到达氧化工件的表面，在铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金表面形成掺杂有氧化钨、氧化钼、氧化钒三种氧化物中一种或多种的微弧氧化膜。本发明制备的微弧氧化膜表面疏松层致密度、硬度提高，不需抛光微弧氧化膜表面的疏松层即可直接使用。
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公开(公告)号：CN103233257B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310103493.7
申请日：2013-03-27
Applicant: 西南石油大学
Abstract: 本发明涉及一种微弧氧化膜掺杂金属氧化物的制备技术，采用普通直流或交流微弧氧化电源，将铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金工件连接在电源的阳极，阴极采用普通的铅板或不锈钢板，将工件和阴极一起完全放入微弧氧化溶液中，在氧化溶液中加入经过活化工艺处理的钨、钼、钒金属粉末或其混合物，在5-100A/dm2的电流密度下，机械搅拌使溶液中的钨、钼、钒中一种或多种金属粉末到达氧化工件的表面，在铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金表面形成掺杂有氧化钨、氧化钼、氧化钒三种氧化物中一种或多种的微弧氧化膜。本发明制备的微弧氧化膜表面疏松层致密度、硬度提高，不需抛光微弧氧化膜表面的疏松层即可直接使用。
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