公开(公告)号：CN119053164A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411154512.3

申请日：2024-08-22

Applicant: 西南石油大学

Inventor： 张广钊 ,  李海敏 ,  唐艳玲 ,  陈宏洋 ,  张政 ,  安波 ,  魏禹豪 ,  李颢徽

IPC: H10K30/88 ,  H10K71/00 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明提供了一种降低电子层界面缺陷的钙钛矿太阳电池及制备方法。以SnO2为原料，制备SnO2电子传输层；接着以GAMSA为原料，制备GAMSA修饰层；然后以PbI2、PbCl2、CsI、FAI、MACl和MABr为原料，通过两步法在空气中旋涂制备了钙钛矿活性层；接着以spiro‑OMeTAD、tBP和Li‑TFSI为原料旋涂制备空穴传输层；最后通过磁控溅射制备Ag电极，完成电池制备。制备得到的钙钛矿太阳能电池最高光电转换效率达到22.42％,并且能显著降低电子层界面缺陷，制备过程稳定，器件具有长期稳定性，有效抑制钙钛矿层降解，这将大大缩减钙钛矿太阳能的制造成本，同时提高钙钛矿太阳能电池光电转化效率，这对于钙钛矿太阳能电池的低成本大规模商业生产具有重要意义。