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公开(公告)号：CN111680414A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010481110.X
申请日：2020-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种稀疏化削减球柱面阵列阵元规模的方法，旨在提供一种能使稀疏后的阵列规模削减同时保持与满阵相当的电性能的方法。本发明通过下述技术方案实现：按照天线子阵内天线单元半波长均匀排布的规则进行阵列坐标系定义，采用稀疏优化算法设置初始参数，构造约束矩阵，生成初始群体，对子阵进行稀疏化，计算种群中每个曲面子阵个体的适应度函数，构成适应度最有优的稀疏化的基本子阵单元；将该稀疏化的基本子阵单元按照球柱面阵等面积区域中心排布规则，构建基于曲面子阵级稀疏的球柱面阵模型；最后增大球面直径得到拼接而成稀疏化球柱面天线阵列，并通过增大单元增益补偿天线阵列总的合成增益，获得与球柱面满阵相当的增益值和副瓣。
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公开(公告)号：CN111541049A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010481117.1
申请日：2020-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01Q21/00
Abstract: 本发明公开的一种大规模球柱面阵阵元数量的削减方法，旨在提供一种可以获得与满阵相当电性能，能够显著削减球柱面天线阵列总的阵元数量的方法。本发明通过下述技术方案实现：建立坐标系，按照天线子阵内天线单元半波长均匀排布的规则构建天线子阵。沿着坐标系的俯仰向和方位向划分子阵，构建初始满阵；基于大间距阵元排布建立球柱面阵天线阵列模型，通过构建大阵元间距排布的新的天线子阵；然后，根据阵元间距设定的激活角域、不同的来波方向，计算每种阵元间距下天线阵列的合成增益，通过合理减小球柱面曲率，增大球柱面直径至合适值来补偿天线总的阵列合成增益，在阵元数量得到削减同时，获得与满阵阵列相近的增益值和副瓣特性。
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公开(公告)号：CN111680414B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010481110.X
申请日：2020-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种稀疏化削减球柱面阵列阵元规模的方法，旨在提供一种能使稀疏后的阵列规模削减同时保持与满阵相当的电性能的方法。本发明通过下述技术方案实现：按照天线子阵内天线单元半波长均匀排布的规则进行阵列坐标系定义，采用稀疏优化算法设置初始参数，构造约束矩阵，生成初始群体，对子阵进行稀疏化，计算种群中每个曲面子阵个体的适应度函数，构成适应度最有优的稀疏化的基本子阵单元；将该稀疏化的基本子阵单元按照球柱面阵等面积区域中心排布规则，构建基于曲面子阵级稀疏的球柱面阵模型；最后增大球面直径得到拼接而成稀疏化球柱面天线阵列，并通过增大单元增益补偿天线阵列总的合成增益，获得与球柱面满阵相当的增益值和副瓣。
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公开(公告)号：CN111541049B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010481117.1
申请日：2020-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01Q21/00
Abstract: 本发明公开的一种大规模球柱面阵阵元数量的削减方法，旨在提供一种可以获得与满阵相当电性能，能够显著削减球柱面天线阵列总的阵元数量的方法。本发明通过下述技术方案实现：建立坐标系，按照天线子阵内天线单元半波长均匀排布的规则构建天线子阵。沿着坐标系的俯仰向和方位向划分子阵，构建初始满阵；基于大间距阵元排布建立球柱面阵天线阵列模型，通过构建大阵元间距排布的新的天线子阵；然后，根据阵元间距设定的激活角域、不同的来波方向，计算每种阵元间距下天线阵列的合成增益，通过合理减小球柱面曲率，增大球柱面直径至合适值来补偿天线总的阵列合成增益，在阵元数量得到削减同时，获得与满阵阵列相近的增益值和副瓣特性。
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