公开(公告)号：CN106654855A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610983569.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 西南大学

Inventor： 吴加贵 ,  段书凯 ,  郑吉 ,  程月 ,  余惠芳

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/0604 ,  H01S5/1042

Abstract: 本发明基于硅光子微腔的光混沌产生装置，包括可调谐激光器、掺铒光纤放大器EDFA、光纤偏振控制器FPC、光隔离器OI、偏振光片、硅光子微腔和光电探测器PD，本发明基于硅光子微腔的光混沌产生装置的有益效果是以硅光子微腔器件产生混沌，使其可以完全CMOS集成，制造成本低，适合大规模批量生产；且具有更小的模式体积和更高的品质因子，拥有高的局域能量密度；具有较好的控光性能，有利于对光进行直接操作处理；能够实现低阈值的工作，完全集成，实际稳定性强。

公开(公告)号：CN106654855B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201610983569.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 西南大学

Inventor： 吴加贵 ,  段书凯 ,  郑吉 ,  程月 ,  余惠芳

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明基于硅光子微腔的光混沌产生装置，包括可调谐激光器、掺铒光纤放大器EDFA、光纤偏振控制器FPC、光隔离器OI、偏振光片、硅光子微腔和光电探测器PD，本发明基于硅光子微腔的光混沌产生装置的有益效果是以硅光子微腔器件产生混沌，使其可以完全CMOS集成，制造成本低，适合大规模批量生产；且具有更小的模式体积和更高的品质因子，拥有高的局域能量密度；具有较好的控光性能，有利于对光进行直接操作处理；能够实现低阈值的工作，完全集成，实际稳定性强。

公开(公告)号：CN206250570U

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201621206710.0

申请日：2016-11-09

Applicant: 西南大学

Inventor： 吴加贵 ,  郑吉 ,  程月 ,  余惠芳

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10

Abstract: 本实用新型提供的基于硅光子微腔的光混沌产生装置，包括可调谐激光器、掺铒光纤放大器EDFA、光纤偏振控制器FPC、光隔离器OI、偏振光片、硅光子微腔和光电探测器PD，本实用新型的有益效果是以硅光子微腔器件产生混沌，使其可以完全CMOS集成，制造成本低，适合大规模批量生产；且具有更小的模式体积和更高的品质因子，拥有高的局域能量密度；具有较好的控光性能，有利于对光进行直接操作处理；能够实现低阈值的工作，完全集成，实际稳定性强。