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公开(公告)号：CN102723112A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210188573.2
申请日：2012-06-08
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统，包括忆阻交叉阵列，其特征在于：所述系统还包括读写选择开关：控制忆阻交叉阵列的读写操作，状态选择开关：状态检测模块检测当前环境状态st，通过状态选择开关，选择相应的行线；列选择开关：当需要对Q值，也即对忆阻交叉阵列的某一个忆阻值进行更新时，列选择开关选择动作at所对应的列线。延迟单元：将选择的列线的电压延迟一个时间步长；状态检测模块：检测当前的环境状态，保存上一个环境状态，。本发明将新的电路元件—忆阻器成功应用到了强化学习中，解决了强化学习需要大量的存储空间问题，为以后强化学习的研究提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN102723112B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210188573.2
申请日：2012-06-08
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统，包括忆阻交叉阵列，其特征在于：所述系统还包括读写选择开关：控制忆阻交叉阵列的读写操作，状态选择开关：状态检测模块检测当前环境状态st，通过状态选择开关，选择相应的行线；列选择开关：当需要对Q值，也即对忆阻交叉阵列的某一个忆阻值进行更新时，列选择开关选择动作at所对应的列线。延迟单元：将选择的列线的电压延迟一个时间步长；状态检测模块：检测当前的环境状态，保存上一个环境状态。本发明将新的电路元件——忆阻器成功应用到了强化学习中，解决了强化学习需要大量的存储空间问题，为以后强化学习的研究提供了一种新的思路。
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