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公开(公告)号：CN114843700B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210406562.0
申请日：2022-04-18
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/40
Abstract: 本发明提供了一种高度有序端基化MXene及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：制备MXene刻蚀产物，然后进行洗涤、干燥，制得MXene粉末；将MXene粉末制成分散液，然后依次进行超声、离心处理，收集上层分散液，然后对分散液进行抽滤，制得MXene自支撑膜；对制得的MXene自支撑膜进行等离子体刻蚀处理。该端基化的MXene可有效解决现有的MXene材料存在的无法实现单一基团高度有序化的问题。
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公开(公告)号：CN113394464A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110549228.6
申请日：2021-05-20
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种高导电聚合物固态电解质及其制备方法，制备方法包括：将PEO粉末加入到含锂盐的溶液中，然后加入钙钛矿量子点，于50‑70℃加热搅拌20‑28h，得均匀的浆料，将浆料置于模具中成膜并除去溶剂，最后真空干燥，制得高导电聚合物固态电解质膜。本发明主要通过对聚环氧乙烷基聚合物固态电解质进行改性，改性后的聚合物固态电解质能够大幅提升室温离子电导率和锂离子迁移数以及对锂金属负极的兼容性，最终得到具有高导电特性的PEO基聚合物固态电解质。
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公开(公告)号：CN114843700A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210406562.0
申请日：2022-04-18
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/40
Abstract: 本发明提供了一种高度有序端基化MXene及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：制备MXene刻蚀产物，然后进行洗涤、干燥，制得MXene粉末；将MXene粉末制成分散液，然后依次进行超声、离心处理，收集上层分散液，然后对分散液进行抽滤，制得MXene自支撑膜；对制得的MXene自支撑膜进行等离子体刻蚀处理。该端基化的MXene可有效解决现有的MXene材料存在的无法实现单一基团高度有序化的问题。
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公开(公告)号：CN113394464B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110549228.6
申请日：2021-05-20
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种高导电聚合物固态电解质及其制备方法，制备方法包括：将PEO粉末加入到含锂盐的溶液中，然后加入钙钛矿量子点，于50‑70℃加热搅拌20‑28h，得均匀的浆料，将浆料置于模具中成膜并除去溶剂，最后真空干燥，制得高导电聚合物固态电解质膜。本发明主要通过对聚环氧乙烷基聚合物固态电解质进行改性，改性后的聚合物固态电解质能够大幅提升室温离子电导率和锂离子迁移数以及对锂金属负极的兼容性，最终得到具有高导电特性的PEO基聚合物固态电解质。
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