公开(公告)号：CN109712824B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910113618.1

申请日：2019-02-12

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨维清 ,  黄海超 ,  张海涛 ,  陈宁俊 ,  储翔 ,  谢岩廷

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/26 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明涉及电化学领域，具体而言，涉及一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列。一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法包括：将MAX相材料进行刻蚀，得到具有良好导电性的MXene胶体溶液；而后将能够诱导MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中，混合均匀，得到改性Mxene液晶溶液；而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀涂覆Mxene胶体溶液得到一层MXene膜；而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中，并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单，反应易于控制。而制备得到的三维MXene阵列中阵列的取向性较好，且排列整齐。

公开(公告)号：CN109712824A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910113618.1

申请日：2019-02-12

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨维清 ,  黄海超 ,  张海涛 ,  陈宁俊 ,  储翔 ,  谢岩廷

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/26 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明涉及电化学领域，具体而言，涉及一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列。一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法包括：将MAX相材料进行刻蚀，得到具有良好导电性的MXene胶体溶液；而后将能够诱导MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中，混合均匀，得到改性Mxene液晶溶液；而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀涂覆Mxene胶体溶液得到一层MXene膜；而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中，并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单，反应易于控制。而制备得到的三维MXene阵列中阵列的取向性较好，且排列整齐。

公开(公告)号：CN116313566A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310213529.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 张海涛 ,  蒲石 ,  谢岩廷 ,  杨维清

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明公开了一种竖直MXene电极材料及其制备方法和滤波电容器，其制备方法包括以下步骤：(1)配置MXene溶液，超声，离心，得胶体溶液；(2)将胶体溶液进行生物试剂热处理，去除多余生物试剂，得改性MXene溶液；然后通过刮涂、喷涂或真空辅助抽滤，得MXene膜电极；再真空干燥后进行微纳加工，得电极片；(3)将不锈钢网进行表面镀金，得集流体；然后与电极片进行辊压，得竖直MXene电极材料。本发明还包括上述方法制得的竖直MXene电极材料以及相应的滤波电容器。本发明通过溶液自组装得到具有三维竖直结构的MXene电极材料，同时极大增强MXene在水系环境下的稳定性。

公开(公告)号：CN111477470A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010184530.1

申请日：2020-03-16

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 张海涛 ,  谢岩廷 ,  杨维清 ,  黄海超

IPC: H01G11/84 ,  H01G11/86 ,  H01G11/04 ,  H01G11/06 ,  H01G11/26

Abstract: 一种非对称高压芯片式储能器件及其制备方法和应用，属于储能技术领域。非对称高压芯片式储能器件的制备方法包括：将第一掩模覆盖于硅片表面并加工形成叉指电极形状的第一区域和第二区域，去除第一区域的第一掩模使硅片表面暴露出正极区域和负极区域，在硅片表面的正极区域和负极区域形成金集流体。将第二掩模分别覆盖于正极区域和负极区域，喷涂对应没有覆盖第二掩模的电极区域的电极材料，使硅片分别形成正极和负极。在硅片表面浇注电解质材料后封装制得非对称高压芯片式储能器件。本申请能够根据实际需求选用不同的电极材料形成正极和负极，然后根据计算匹配正负电极的质量比，制得具有非对称结构的非对称高压芯片式储能器件。