公开(公告)号：CN119976964A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510011737.1

申请日：2025-01-05

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李琦 ,  蔡泉淦

IPC: C01G39/02 ,  B01J23/28 ,  B01J35/39 ,  B01J37/10 ,  B01J37/08 ,  B01J35/40 ,  B01J35/50 ,  B01J20/06 ,  B01J20/30 ,  B01J20/28 ,  B01J35/45 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/30 ,  C02F1/28 ,  C02F101/30 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明公开了一种具备奇特光催化记忆效应的三氧化钼纳米管材料及其制备方法和光催化应用，属于光催化材料、太阳能利用与环境保护技术领域。该三氧化钼纳米管材料具有三维立体结构，由七钼酸铵与硝酸反应，加以聚乙烯吡咯烷酮修饰表面而得。所制备得到的该三氧化钼，表现出宽禁带半导体光催化材料的特征，且具有奇特的光催化记忆效应，即在光照一定时间之后，仍能持续表现出变色现象及具备超强的光学性能及催化降解性能，实现了对水中染料、抗生素污染物的光催化吸附和降解，对四环素类抗生素甚至能达到近百分百的矿化率。