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公开(公告)号:CN119805532A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411917823.0
申请日:2024-12-24
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了土壤低能γ核素三维分布原位测量系统,包括CZT阵列探头、地面集成单元、测量控制遥控终端。该土壤低能γ核素三维分布原位测量系统,CZT阵列探头包括晶体阵列、前置放大器、屏蔽与导引结构,地面集成单元包括多通道数采模块、综合控制模块、吊放装置、通信模块、工控机和电池组,测量控制遥控终端为笔记本电脑,笔记本电脑内置有通信模块,笔记本电脑上安装有测控软件,CZT阵列探头连接在地面集成单元的吊放装置上,测量控制遥控终端与地面集成单元通过通信模块远程连接,通过“钻孔+原位测量”的方式,实现了低能γ核素在污染砂土中深度方向和水平方向的测量,形成了三维分布测量能力,为放射性污染源项调查提供了有力技术支持。
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公开(公告)号:CN118818585A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410819628.8
申请日:2024-06-24
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及低能重离子的束流监测,具体涉及用于重离子辐照终端的多功能束流监测装置及方法,为解决现有技术中存在位置分辨能力低无法反应小尺寸样品内的注量率及其均匀性且对低能重离子束流的稳定性要求较高的不足之处,多功能束流监测装置包括二次电子发射薄膜、MCP模块、二次电子约束模块、信号读出模块;二次电子发射薄膜设置在束流的入射路径上,且与束流的入射方向存在夹角;信号读出模块包括束流强度测量单元和束流剖面分布测量单元,对MCP模块的电信号进行测量及转化,多功能束流监测方法利用上述装置测量得到的对应电信号,计算得到注量率及均匀性。
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公开(公告)号:CN115062476B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202210700439.X
申请日:2022-06-20
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种评价非理想电磁脉冲波形偏离目标波形程度的方法,给出了表征偏离程度的特征参数。方法对待处理脉冲波形进行去直流成分、统一极性和补零延拓等预处理后,通过最优化算法获得波形垂直伸缩和左右平移参数,使得变换后的波形与目标波形的闵可夫斯基距离最小。得到的闵可夫斯基距离及其变形可作为表征偏离程度的时域特征参数。该参数可以定量地评价电磁脉冲波形与目标波形的偏离程度,可综合反映波形上升时间、半高宽、预脉冲、反射、波形偏离、噪声、能量等时域特征。该参数可作为雷电模拟器、电磁脉冲模拟器、脉冲电流源等脉冲源输出波形质量评价的特征参数,作为脉冲源调试的参考指标之一,也可用于仿真结果的定量比对。
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公开(公告)号:CN115343600B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202211042947.X
申请日:2022-08-29
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明为解决现有针对接口电路强电磁脉冲损伤的鉴别,采用离线模拟的方式不能真实体现实际工作中的情况,存在鉴别误差的问题,而提供了一种在线模式下通信设备接口电路强电磁脉冲损伤的鉴别方法。包括以下步骤:1)、搭建模拟通信设备正常通信的接口效应试验平台,对通信设备的通信节点进行监测;2)、通信设备处于正常通信状态,进行强电磁脉冲电流注入;3)、在通信接口电路板卡设置电流检测点以及电压监测点,获取电流检测点和电压监测点的输出波形,判断接口电路是否受扰或损伤;4)、保持通信设备的正常通信状态,通过发送数据的计算机和接收数据的计算机上的通信收发软件传输数据的情况,判断接口电路是否受扰或损伤。
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公开(公告)号:CN113109859B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202110378327.2
申请日:2021-04-08
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种获取低LET值重离子单粒子翻转截面的方法,包括:获取器件封装信息、灵敏区上方多层金属布线层或衬底信息、器件STI隔离氧化层厚度信息;开展纳米器件低能质子直接电离引发单粒子翻转的辐照实验,提取器件低能质子单粒子翻转峰值截面σpeak,记录相对应的降能片厚度;获取器件发生单粒子翻转的临界电荷,计算器件发生单粒子翻转的LET阈值;基于LET阈值判断引发器件发生单粒子翻转的质子能量区间,计算在低能质子单粒子翻转峰值位置处,器件灵敏区内位于该能量区间的质子数占入射总质子数的百分比ε,并计算相应的平均质子能量以及平均LET值;将低能质子单粒子翻转峰值截面除以质子数百分比ε,计算与平均LET值相对应的有效单粒子翻转截面。
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公开(公告)号:CN114626205B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202210151802.7
申请日:2022-02-18
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置,对射线或粒子辐射场环境下光电图像传感器辐射瞬态响应进行模拟,解决复杂辐射环境下面阵光电图像传感器辐射瞬态响应评估试验成本高、获取的有效数据少以及获取的数据难以全面反应在真实环境下的瞬态响应的问题,本发明模拟方法及模拟装置可实现对各种辐射环境下光电图像传感器的瞬态响应进行模拟,为不同辐射环境下的瞬态响应机理研究奠定基础,同时为基于人工智能的瞬态响应图像处理过程提供训练图像数据集。
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公开(公告)号:CN117783693A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311824678.7
申请日:2023-12-27
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提供了一种集成光学电磁脉冲大动态范围测量系统及方法,用于解决现有的集成光学电磁脉冲测量系统及测量方法存在的传感器测量动态范围受到一定限制,难以进行更高要求动态范围扩展的技术问题。本发明通过波分复用技术将两路单色光信号合成为双色光信号,后输入非对称结构的集成光学电磁脉冲传感器中;调整两路单色光信号的波长使其在传感器内的偏置差为π/2+nπ;将待测信号作为调制信息加载在双色光信号上后将其恢复为两路单色光信号;通过光电转换输出包含直流项的电压信号;根据加载了调制信息的两路单色光信号传递函数的非线性区间,对获得的两路数字电压信号进行运算,获得待测信号的脉冲波形,实现大动态范围测量。
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公开(公告)号:CN113109860B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202110381221.8
申请日:2021-04-08
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明公开了预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法,包括以下步骤:对器件开展质子或中子单粒子效应实验,获取质子或中子单粒子效应截面数据并威布尔拟合得到质子或中子单粒子效应截面曲线;构建芯片结构模型,蒙卡计算不同能量质子或中子与器件材料发生核反应在灵敏层内产生的次级粒子LET谱;估算两个重离子单粒子效应截面数据点并初步拟合一条重离子单粒子效应截面曲线;将该重离子单粒子效应截面曲线与次级粒子LET谱积分,得到器件的质子或中子单粒子效应截面;比对积分计算数据与实验数据,调整重离子单粒子效应截面曲线(56)对比文件杜雪成 等.28nm Xilinx Zynq-7000系统芯片单粒子效应研究进展.现代应用物理.2017,第8卷(第2期),第1-6页.
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公开(公告)号:CN116498891A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310442342.8
申请日:2023-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了低饱和蒸气压气体释放方法,包括耐高压铝瓶,所述耐高压铝瓶顶部螺纹固定连接有连接套筒,根据应用场景向耐高压铝瓶内充入高压氮气,或者是通过电动模块推动活塞向耐高压铝瓶内增压,使得耐高压铝瓶内的液态示踪气体的相变速度将不再受限于饱和蒸气压大小、投放瓶容积及释放通道直径大小等因素,示踪气体由液体向气体转变的速度将大大加快,满足快速监测的需求,且在高压作用下,示踪气体释放率大大提高,根据应用场景不同,在实现相同功能的前提下,选择本发明组装、连接方式,以满足两种不同的应用场景(在化爆环境中和微正压环境中)实现低饱和蒸气压示踪气体的快速释放,且装置体积减小,便于安装。
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公开(公告)号:CN115856395A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211491919.6
申请日:2022-11-25
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明具体涉及一种预测三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间的方法,解决了当前测量方法耗费大量时间以及能源的问题。本发明包括以下步骤:(1)得到累积剂量为零的三极管的基极电流随基极电压的变化曲线;(2)对三极管进行瞬时电离辐射实验,得到三极管初始的瞬时光电流持续时间;(3)对三极管进行多组累积剂量辐照,并监测基极电流随基极电压变化,得到基极电流IB随基极电压VBE的变化曲线;(4)根据三极管累积剂量前后的IB‑VBE曲线,提取出三极管累积剂量前平均基极电流和三极管累积剂量后平均基极电流:(5)由三极管累积剂量前平均基极电流和三极管累积剂量后平均基极电流,获得三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间。
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