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公开(公告)号：CN109871573B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201811614911.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F17/16
Abstract: 为实现理想的无反射、高隔离度的八路功率合成，本发明提供了一种八路功率合成器的建模方法，包括步骤：1)将八路合成器的17个端口间的耦合关系用17×17端口模式网络表示；2)划分所述17个端口的属性；3)确定17×17端口模式网络的S参数矩阵；4)将17×17端口网络进行拆解；5)将子网络A～D级联，构成八路合成器的拓扑结构。采用本发明设计的八路功率合成器，能够实现输入、输出端口无反射，输入端口间互相隔离，输入端口能量全部在合成端口中输出。
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公开(公告)号：CN109768362B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811616246.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 为克服传统功率合成器各输入端口隔离度及匹配性能不太理想，无法满足应用需求的问题，本发明提出了一种八路微带‑矩形波导功率合成器，由两个九端口网络E和一个三端口网络D级联而成；每个网络E由两个三端口网络A、一个四端口网络B和一个五端口网络C级联而成。本发明采用输入微带线和矩形波导两种类型传输线，前级馈电端采用输入微带线，尺寸紧凑且降低了辐射损耗，后级合成采用压缩矩形波导，保证了功率容量以及传输效率，前后级协同实现了合成器的小型化，确保结构紧凑及高功率容量、高隔离度、高传输效率。
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公开(公告)号：CN108767390B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810746009.5
申请日：2018-07-09
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种紧凑四端口波导结型环行器，包括一个四端口波导接头、四个波导弯折、四个标准波导；四端口波导接头为对称结构，周向为四个矩形端口，相邻两个端口之间的夹角为90度；四端口波导接头的上端内侧和下端内侧均设置有金属块和铁氧体片；四个标准波导分别通过四个波导弯折与四端口波导接头的四个端口一一对应连接；标准波导端口的轴线与对应的四端口波导接头的端口轴线之间的夹角为45°，波导弯折与四端口波导接头连接的一端的端口轴线与该四端口波导接头的端口轴线平行，波导弯折与标准波导连接的一端的端口轴线与标准波导端口轴线平行。本发明解决了现有四端口波导结型环行器插入损耗大、尺寸大的技术问题。
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公开(公告)号：CN106229598A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610551499.4
申请日：2016-07-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P5/20
CPC classification number: H01P5/20
Abstract: 本发明涉及一种kW级超紧凑高隔离度共面魔T及微波功率合成方法，共面魔T包括位于同一平面的和端口、差端口、两个输入端口，还包括波导单元、耦合探针、同轴-同轴波导匹配单元和同轴-矩形波导匹配单元；耦合探针的半径及插入全高矩形波导段的长度用于调节和端口和差端口的匹配特性。TE10信号进入差端口，被等幅反相分配后从输入端口输出；TEM信号进入和端口，被等幅同相分配后从输入端口输出。本发明共面魔T解决了现有的介质微波功率合成很难满足kW级功率容量和低插损高隔离度以及尺寸体积要求，其和差端口的共面排布，在实现较宽的带宽同时，具有紧凑的横截面积，高功率容量以及小的插损。
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公开(公告)号：CN106229597A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610550985.4
申请日：2016-07-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P5/20
CPC classification number: H01P5/20
Abstract: 一种超紧凑高隔离度低反射波导魔T，包括两个与耦合矩形波导端面相接的位于E面中心沿H面对称分布的输入同轴波导、一个与耦合矩形波导宽边E面耦合的输出矩形波导、一个与耦合矩形波导相接的H面输出矩形波导，两个与在耦合矩形波导内部的与同轴输入波导内导体共轴连接的长方体匹配金属块，其后分别连接的三个位于E面耦合输出矩形波导对面的紧贴耦合矩形波导宽边的邻接匹配金属块，与同轴内导体连接的两组共八个匹配金属块沿H面对称分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106099288A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610551498.X
申请日：2016-07-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/36
Abstract: 本发明提供一种应用于三路高效高隔离度功率合成的紧凑五端口结构，三个相同的矩形波导以120°夹角相交；圆波导的E面耦合于三个矩形波导相交区域的顶部平面；三个矩形波导相交区域的底面设置有向相交区域延伸的薄壁圆台型凸起；圆台型凸起的顶部平板向圆波导的方向延伸出依次连接的第一金属探针和第二金属探针，圆台型凸起的顶部平板反向延伸出依次连接的第一介质同轴波导和第二介质同轴波导；所述第一金属探针和第一介质同轴波导连接。在保持较紧凑体积的基础上，利用三个矩形波导中的TE10模式、同轴波导中的TEM模式和圆波导中的TE11模式组成六模式网络，实现了三路等幅同相矩形TE10模式至同轴TEM模式的高效功率合成。
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公开(公告)号：CN105576888A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511016594.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 西北核技术研究所
CPC classification number: H02K7/06 , F16J15/16 , F16J15/162 , H01P1/18
Abstract: 本发明涉及微波仪器技术领域，尤其涉及一种应用于高功率快速移相器的密封装置，包括驱动组件、传动组件、密封组件和外壳，外壳底部与双圆极化器的波导管连接；驱动组件位于外壳顶部；传动组件位于外壳内部，传动组件包括连接杆，连接杆一端与驱动组件连接，另一端穿出外壳底部与扼流活塞连接，以在驱动组件的驱动下带动扼流活塞移动；密封组件设置于连接杆的外侧且与外壳底部连接，以保证在扼流活塞移动时移相器的中扼流活塞与双圆极化器连接的气密性。使扼流活塞与双圆极化器顶部圆波导组成的高频率快速移相器内形成不低于10-2pa的高真空度，满足在保证良好气密性的同时能够实现高运动速度和高移相精度的要求，也极大的提高了移相器的功率容量。
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公开(公告)号：CN104134833B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410374213.0
申请日：2014-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域，本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗，周期性函数表面就像是海平面起伏的波纹一样，其抑制二次电子倍增的原理是：将电子约束在单元函数曲面结构内，通过微波电场力自身提供的回复力作用，改变倍增电子轨迹、渡越时间，减小电子在函数曲面侧壁的碰撞能量，使其小于二次产额曲线的第一交叉点。同时，电子渡越时间远小于微波半周期，实现二次电子倍增在函数曲面侧壁被抑制。
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公开(公告)号：CN115684683A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211148317.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R1/28
Abstract: 本发明涉及一种时隙激励校准的辐射源场强相干合成方法及系统，可提升目标位置处的辐射场功率密度获得局部区域的高峰值的微波场强，用于目标物耐受场强考核等研究应用，解决现有真空电子学器件需要附属高压脉冲产生装置才可以强电磁辐射，且其系统较为复杂的技术问题。该时隙激励校准的辐射源场强相干合成方法，通过激励信号激励微波辐射源，通过特定时序选通各个微波辐射源，向目标位置辐射。本发明还提供了时隙激励校准的辐射源场强相干合成系统，包括频综、N个按任意方式排布的微波辐射源、测量天线及接收机。能够在后续进行补偿激励信号，实现目标位置处的辐射场相干增强。
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公开(公告)号：CN109818124B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811528889.5
申请日：2018-12-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 为解决现有矩形波导匹配负载无法满足紧凑系统要求的技术问题，本发明提供了一种矩形波导‑微带功率分配器和矩形波导匹配负载。矩形波导‑微带功率分配器包括依次层叠设置的输入矩形波导、第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层；第一金属层上设置有微带耦合探针和四个微带输出端口；第二金属层构成微带接地面；第一介质层和第二介质层上设有通孔；四个微带输出端口E面耦合于输入矩形波导宽边侧壁，并与输入矩形波导90°正交，且两两一组分布于输入矩形波导宽边两侧；位于输入矩形波导宽边同侧的微带输出端口共用一个微带耦合探针从输入矩形波导中向外耦合能量；矩形波导‑微带功率分配器整体沿输入矩形波导E面和H面对称。
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