一种三维枝状纳米CuO的制备方法

    公开(公告)号:CN106673050B

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710042163.X

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种三维枝状纳米CuO的制备方法,属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在导电基座FTO玻璃上进行电化学沉积得到Cu薄膜,然后将该薄膜进行化学刻蚀得到Cu(OH)2,最后将Cu(OH)2经由氮气氛下高温退火、磁控溅射、化学刻蚀过程得到三维枝状纳米CuO。本发明制备过程简单、安全,能耗较低;采用本发明方法制备的三维枝状纳米CuO结晶度高,晶型好,样品纯度高;整个制备过程中无有机物的加入,亦无有毒、有害物质的产生,不会对环境造成污染、也不会危害人体健康,具有一定的推广应用价值。

    一种氮化碳/三氧化钨纳米复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105536842A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510922641.7

    申请日:2015-12-14

    CPC classification number: B01J27/24 B01J23/30 C25D13/02

    Abstract: 本发明提供一种氮化碳/三氧化钨纳米复合材料的制备方法,步骤如下:(1)将去离子水与无水乙醇混溶后搅拌,加入钨酸钠室温下搅拌溶解,再加入氮化碳的前驱体,搅拌,析出晶体,烘干,研磨,得到白色粉末;所述氮化碳的前驱体为尿素和双氰胺;(2)将步骤(1)得到的白色粉末进行烧焙,得到黄色固体,研磨收集;(3)将步骤(2)得到的黄色粉末用HCl搅拌;冲洗掉杂质后过滤,烘干,研磨,得到黄色粉末;(4)将步骤(3)得到的黄色粉末进行烧焙。本发明还提供应用该方法制备得到的氮化碳/三氧化钨纳米复合材料及其应用。本发明的方法简单易控且对环境友好,得到的纳米复合材料具有高分散、高催化性能;用其制备的电极灵敏度高。

    磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107043222B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201710042164.4

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种磷掺杂的石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法,属于半导体纳米材料制备技术领域。先将高分子聚合物2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪和三聚氰酸混合反应制备石墨相氮化碳的前驱体,然后将该前驱体置于FTO玻璃表面通过高温煅烧的方法制备氮化碳薄膜,最后将氮化碳薄膜置于磁舟中,以次亚磷酸钠作为磷源在氮气氛下煅烧得到磷掺杂的石墨相氮化碳纳米薄膜。本发明方法以FTO导电玻璃为基底材料,制备过程简单、成本低廉;得到的磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜形态好、纯度高,且克服了磷掺杂石墨相氮化碳纳米粉末材料分散性差的缺点,光催化活性高;整个制备过程中无有毒、有害物质的产生,不会对环境造成污染、也不会危害人体健康,安全环保。

    一种花青素敏化纳米复合材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN106955738B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201710272479.8

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 本发明提供一种花青素敏化纳米复合材料的制备方法,包括以下步骤:1)将采摘的花瓣洗干净,晾干,在研钵中研碎,然后用HCl乙醇溶液浸泡提取,过滤,将澄清液浓缩、干燥,得到的粉末再溶于乙醇,即花青素乙醇溶液;2)配置1mg/mL的GO水溶液,采用两电极沉积的方式用电泳沉积的方法在干净的FTO上沉积一层还原氧化石墨烯,然后再将其在高温惰性气体保护下退火处理;3)将沉积有还原氧化石墨烯的FTO倾斜浸泡在花青素乙醇溶液中,得到花青素敏化纳米复合材料。本发明的花青素敏化纳米复合材料具有好的光敏化性,在光解水方面有重大的意义。

    一种FTO/CuO纳米线及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106946222B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710109271.4

    申请日:2017-02-27

    CPC classification number: Y02E60/364

    Abstract: 本发明提供FTO/CuO纳米线的制备方法,包括以下步骤:(1)将导电玻璃清洗干净并吹干;(2)将PVP溶于去离子水中,搅拌至澄清,依次加入尿素、酒石酸钠,再加入硫酸铜,搅拌得混合溶液,将混合溶液与步骤(1)得到的导电玻璃转移至聚四氟乙烯反应内衬,在120℃的条件下反应24小时,然后冷却至室温,洗涤烘干后,得到固体薄膜样品;(3)将步骤(2)得到的固体薄膜样品在550℃煅烧3小时,得到FTO/CuO纳米线。本发明还提供应用该方法制备得到的FTO/CuO纳米线及应用。本发明成功地制备了CuO纳米线,提高了CuO纳米线的表面积和载流子浓度,并保持了退火前后材料形貌的一致性,该材料有望用于光解水制氢。

    一种三维枝状纳米CuO的制备方法

    公开(公告)号:CN106673050A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201710042163.X

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种三维枝状纳米CuO的制备方法,属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在导电基座FTO玻璃上进行电化学沉积得到Cu薄膜,然后将该薄膜进行化学刻蚀得到Cu(OH)2,最后将Cu(OH)2经由氮气氛下高温退火、磁控溅射、化学刻蚀过程得到三维枝状纳米CuO。本发明制备过程简单、安全,能耗较低;采用本发明方法制备的三维枝状纳米CuO结晶度高,晶型好,样品纯度高;整个制备过程中无有机物的加入,亦无有毒、有害物质的产生,不会对环境造成污染、也不会危害人体健康,具有一定的推广应用价值。

    Fe2O3纳米管的牺牲模板法制备工艺

    公开(公告)号:CN106698523B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201710042773.X

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种Fe2O3纳米管的牺牲模板法制备工艺,属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在FTO玻璃上进行自催化氧化还原反应得到FTO/Cu沉淀,然后将该沉淀进行阳极氧化得到FTO/Cu(OH)2纳米线,最后将FTO/Cu(OH)2纳米线在氮气氛下高温退火、刻蚀、再次高温退火得到Fe2O3纳米管。本发明选择FTO导电玻璃为基底材料,利用CuO纳米线作为牺牲模板,以FeCl3·6H2O为铁源制备Fe2O3纳米管,制备过程简单,实验条件容易控制,整个制备过程无需价格高昂的设备,成本低廉,制得的Fe2O3纳米管具有良好的晶型,光催化活性高。

Patent Agency Ranking