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公开(公告)号：CN116403667A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310368935.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 西北工业大学重庆科创中心 , 西北工业大学
Abstract: 一种基于二维真实形貌的三维随机孔隙结构建模方法包括如下步骤：步骤1：二维真实形貌二值处理及尺寸缩放；步骤2：二维真实形貌孔洞信息分析；步骤3：指定体积分数的初始三维随机孔隙结构生成；步骤4：面向真实形貌的三维随机孔隙结构优化方法；步骤5：面向真实形貌的三维随机孔隙结构模型确定。该方法可以面向二维真实形貌，结合材料体积分数与两点概率函数，通过最优化平均绝对百分比误差，建立基于二维真实形貌的三维随机孔隙结构。
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公开(公告)号：CN114611354A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210232634.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种基于纳米压痕试验的电子封装材料残余应力计算方法包括如下步骤：步骤1：建立含有残余应力的无量纲函数；步骤2：确定电子封装材料无量纲函数的参数；步骤3：通过纳米压痕试验，得到有残余应力(待测试)样件的P、h值；步骤4：通过无量纲函数计算样件残余应变；步骤5：通过本构模型计算样件残余应力。该方法可以利用有限元仿真方法，结合含有残余应力的无量纲函数，建立不同电子封装材料的残余应力与纳米压痕荷载‑位移曲线之间的关系，进一步参考纳米压痕实验结果，计算获取电子封装材料残余应力。
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公开(公告)号：CN111855458A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010715942.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及电子封装纳米力学性能测试技术领域，具体涉及一种基于纳米压痕理论的多孔材料本构关系求解方法。具体技术方案为：一种基于纳米压痕理论的多孔材料本构关系求解方法，使用纳米压头在多孔材料基体上进行多次压痕，得到多个位移-载荷曲线，去除误差大的曲线，将其余的曲线进行平均曲线拟合，得到平均曲线，取平均曲线的平均弹性模量作为实验弹性模量E；然后确定特征应力σr，并根据无量纲函数确定硬化指数n；再确定特征应变εr和确定屈服应力σy；最终根据硬化指数n、屈服应力σy和弹性模量E得出本构曲线。本发明解决了现有技术中材料属性与应力应变曲线不是一一对应的关系，以及在仿真时迭代次数较多，所花时间较长的问题。
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公开(公告)号：CN118762787B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411252851.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种芯片粘接层金属单晶微柱压缩试验弹性常数反演方法，其利用微柱压缩试验，结合n组不同晶向微柱压缩数据，通过建立精确的有限元模型和设定合理的边界条件，为弹性常数反演计算提供模型依据与仿真支撑；通过使用多目标优化算法，提高了反演结果的全面性和准确性；结合有限元模型的力‑位移曲线仿真结果，反演获取与实际微柱压缩试验结果一致的金属单晶材料弹性常数，为芯片粘接材料金属单晶的弹性常数确定提供最优方法。本方法能够有效获取金属单晶微柱在压缩过程中的力‑位移曲线，并结合有限元模型和多目标优化算法，准确反演出材料的弹性常数，为电子封装领域的材料力学性能测试提供了新的技术手段。
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公开(公告)号：CN118762787A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411252851.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种芯片粘接层金属单晶微柱压缩试验弹性常数反演方法，其利用微柱压缩试验，结合n组不同晶向微柱压缩数据，通过建立精确的有限元模型和设定合理的边界条件，为弹性常数反演计算提供模型依据与仿真支撑；通过使用多目标优化算法，提高了反演结果的全面性和准确性；结合有限元模型的力‑位移曲线仿真结果，反演获取与实际微柱压缩试验结果一致的金属单晶材料弹性常数，为芯片粘接材料金属单晶的弹性常数确定提供最优方法。本方法能够有效获取金属单晶微柱在压缩过程中的力‑位移曲线，并结合有限元模型和多目标优化算法，准确反演出材料的弹性常数，为电子封装领域的材料力学性能测试提供了新的技术手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115420603A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211050580.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种基于压痕反演理论求解算法的焊点互连结构力学强度测试装置及测试方法，通过反演算法得到电子封装结构焊点基体材料的本构参数(弹性模量、硬化指数、屈服应力)，并根据幂率函数得到电子封装结构中焊点互连结构的真实力学强度关系，为精密测量电子封装焊点互连结构的力学强度提供一种新的技术手段。本发明通过对电子封装结构中焊点互连结构进行压力作用，通过力传感器和位移传感器获取电子封装结构基体材料的荷载‑位移曲线，然后使用Matlab进行反演分析，将提前准备的多个范围的本构参数随机构建的多组电子封装结构表面基体材料本构参数组放入有限元软件中进行计算，获取相应组的荷载‑位移曲线，再与BP神经网络进行深度学习，建立电子封装焊点互连结构的基体材料本构参数和荷载位移曲线的映射关系，可以通过本测试装置直接获取的荷载‑位移曲线反演出相应的应力应变曲线，进而得到电子封装结构中焊点互连结构的力学强度。
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公开(公告)号：CN117350138B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311660920.1
申请日：2023-12-06
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F17/16 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种芯片粘接结构热循环疲劳失效物理模型建模方法，属于电子封装可靠性领域，该方法包括根据芯片粘接结构的数字机样、热‑机械耦合材料参数和服役环境典型温度，得到并根据参数化矩阵，进行芯片粘接结构的有限元仿真，得到并根据各参数组条件下芯片粘接结构各网格单元在最高温度下的应变分布和各参数组条件下芯片粘接结构各网格单元在最低温度下的应变分布，进行芯片粘接结构的寿命预计，得到并根据参数化矩阵中各参数组对应的芯片粘接结构的特征寿命，构建芯片粘接结构热循环疲劳失效物理模型。本发明解决了芯片粘接结构的复杂性导致的芯片粘接结构热循环疲劳失(56)对比文件刘涵雪;刘放飞;谢劲松;Fei Xie.高功率芯片封装工艺设计的粘接层可靠性评价.电子质量.2016,(07),全文.
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公开(公告)号：CN114492120A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210036529.3
申请日：2022-01-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/18
Abstract: 一种给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构建模方法包括如下步骤：步骤1：确定烧结纳米银随机孔隙结构的二维模型边界范围；步骤2：确定烧结纳米银随机孔隙结构x、y方向的特征长度；步骤3：生成给定x、y方向的特征长度的高斯随机场分布样本；步骤4：利用最优化算法，确定给定孔隙率的高斯随机场阈值；步骤5：生成给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构，并导入有限元软件中。该方法可快速生成烧结纳米银随机孔隙结构，该结构的建立不仅可给定孔隙率，同时可给出与烧结纳米银形貌一致的随机孔隙结构，可为后续烧结纳米银细观结构分析提供模型输入。
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公开(公告)号：CN111855458B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010715942.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及电子封装纳米力学性能测试技术领域，具体涉及一种基于纳米压痕理论的多孔材料本构关系求解方法。具体技术方案为：一种基于纳米压痕理论的多孔材料本构关系求解方法，使用纳米压头在多孔材料基体上进行多次压痕，得到多个位移‑载荷曲线，去除误差大的曲线，将其余的曲线进行平均曲线拟合，得到平均曲线，取平均曲线的平均弹性模量作为实验弹性模量E；然后确定特征应力σr，并根据无量纲函数确定硬化指数n；再确定特征应变εr和确定屈服应力σy；最终根据硬化指数n、屈服应力σy和弹性模量E得出本构曲线。本发明解决了现有技术中材料属性与应力应变曲线不是一一对应的关系，以及在仿真时迭代次数较多，所花时间较长的问题。
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公开(公告)号：CN114492120B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210036529.3
申请日：2022-01-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/18
Abstract: 一种给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构建模方法包括如下步骤：步骤1：确定烧结纳米银随机孔隙结构的二维模型边界范围；步骤2：确定烧结纳米银随机孔隙结构x、y方向的特征长度；步骤3：生成给定x、y方向的特征长度的高斯随机场分布样本；步骤4：利用最优化算法，确定给定孔隙率的高斯随机场阈值；步骤5：生成给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构，并导入有限元软件中。该方法可快速生成烧结纳米银随机孔隙结构，该结构的建立不仅可给定孔隙率，同时可给出与烧结纳米银形貌一致的随机孔隙结构，可为后续烧结纳米银细观结构分析提供模型输入。
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