公开(公告)号：CN116133446A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310172022.5

申请日：2023-02-27

Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 ,  西北工业大学

Inventor： 黄佛保 ,  丁亦洛 ,  刘春晓

IPC: H10K30/65 ,  H10K30/20 ,  H10K77/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种有机半导体钙钛矿异质结柔性宽光谱光敏场效应管及其制备方法，该器件包括柔性衬底、栅电极、绝缘栅介质层、有机半导体沟道层、钙钛矿光敏层、源电极和漏电极，其中，柔性衬底、栅电极、绝缘栅介质层、有机半导体沟道层和钙钛矿光敏层自下而上依次设置，源电极和漏电极设置在有机半导体沟道层上表面左右两侧且钙钛矿光敏层位于源电极和漏电极之间；或者，源电极和漏电极分别嵌入在有机半导体沟道层下端两侧。本发明采用柔性衬底以及与柔性衬底具有兼容性的各个功能层，使光敏场效应管具备了良好的机械柔韧性，采用的高迁移率有机沟道材料和高光电转换效率钙钛矿材料，使器件呈现出典型的场效应特性和宽光谱光信号放大功能。

公开(公告)号：CN116406170A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310186213.7

申请日：2023-03-01

Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 ,  西北工业大学

Inventor： 黄佛保 ,  杜春洋 ,  丁亦洛 ,  陈江华 ,  叶紫君

IPC: H10K30/65 ,  H10K30/10 ,  H10K77/10 ,  H10K71/10

Abstract: 本发明公开了一种二维材料/钙钛矿异质结柔性光敏场效应管及其制备方法，该二维材料/钙钛矿异质结柔性光敏场效应管包括：透明柔性衬底；位于透明柔性衬底一侧的第一电极层、二维材料沟道层和第二电极层；第一电极层包括栅电极，第二电极层包括源电极、漏电极以及位于源电极与漏电极之间的钙钛矿光敏层；或者，第一电极层包括源电极、漏电极以及位于源电极与漏电极之间的钙钛矿光敏层，第二电极层包括栅电极。本发明引入二维材料作为沟道层，增强了以钙钛矿为光敏层场效应管的场效应特性，从而实现光信号的放大，使器件具备超高的灵敏度。同时，二维材料/钙钛矿异质结还能够增强光生激子解离效率。

公开(公告)号：CN113594099B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202110679376.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄佛保 ,  陈江华

IPC: H01L21/8256 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿单晶衬底与二维材料沟道的CMOS FinFET器件及其制备方法，制备方法包括：选取钙钛矿单晶衬底层；刻蚀钙钛矿单晶衬底层形成第一Fin和第二Fin；在钙钛矿单晶衬底层上制备绝缘层，且暴露第一Fin和第二Fin的顶面和部分侧面；在第一Fin上制备电子沟道传输层；在第二Fin上制备空穴沟道传输层；在电子沟道传输层和空穴沟道传输层上均制备源极和漏极；在电子沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道和在空穴沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道上制备栅介质层；在栅介质层上制备栅极。本发明所制备的CMOS FinFET具有材料成本低、开关比大、开关速度快、光电转换效率高、响应光谱宽、载流子迁移率高、栅控能力强以及光电双控功能的特点。

公开(公告)号：CN117614535A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311613924.4

申请日：2023-11-29

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李天伦 ,  甘雪涛 ,  高铎瑞 ,  张颜艳 ,  张董伟 ,  黄佛保 ,  张中印 ,  秦鹏

IPC: H04B10/11 ,  H04B10/80 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及空间激光通信技术，具体涉及基于周期性极化晶体波导的跨介质激光通信方法及系统，为解决现有技术中采用切换光源的方式进行跨介质激光通信存在响应时间较长，且发射端需要针对不同的波长装配特定的光电调制器件及其配套驱动器件，造成系统复杂度、功耗和体积的增加，不利于实际应用的不足之处。本发明基于周期性极化晶体波导的跨介质激光通信方法，将电信号调制到光载波上，采用周期性极化晶体波导产生谐波，分别通过不同介质信道传输，再转化为电信号传输给用户。还提供一种基于周期性极化晶体波导的跨介质激光通信系统，通过设计周期性极化晶体波导的周期进行高效率的非线性光学频率转换，同步实现不同介质中的空间激光通信。

公开(公告)号：CN113594099A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110679376.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄佛保 ,  陈江华

IPC: H01L21/8256 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿单晶衬底与二维材料沟道的CMOS FinFET器件及其制备方法，制备方法包括：选取钙钛矿单晶衬底层；刻蚀钙钛矿单晶衬底层形成第一Fin和第二Fin；在钙钛矿单晶衬底层上制备绝缘层，且暴露第一Fin和第二Fin的顶面和部分侧面；在第一Fin上制备电子沟道传输层；在第二Fin上制备空穴沟道传输层；在电子沟道传输层和空穴沟道传输层上均制备源极和漏极；在电子沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道和在空穴沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道上制备栅介质层；在栅介质层上制备栅极。本发明所制备的CMOS FinFET具有材料成本低、开关比大、开关速度快、光电转换效率高、响应光谱宽、载流子迁移率高、栅控能力强以及光电双控功能的特点。

公开(公告)号：CN114996129A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210576680.6

申请日：2022-05-25

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄佛保 ,  马萁遥 ,  李高轩

IPC: G06F11/36 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开一种基于自适应免疫遗传算法的极端测试用例生成方法，包括以下步骤：S1、初代种群生成器读取配置文件生成初代种群；S2、抗体适应度计算器对S1中获得初始种群中每个个体进行适应度计算；S3、终止条件判断是否达到限定迭代次数，达到限定迭代次数并跳转到S4，若还未达到限定迭代次数，依次进行选择操作、自适应交叉和变异、提取疫苗、接种疫苗、免疫选择以及种群更新操作，跳转到S2；S4、达到限定迭代次数，即获得近优解汇编代码。