公开(公告)号：CN113373416A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110638882.4

申请日：2021-06-08

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 周青 ,  罗大微 ,  黄卓斌 ,  钱旦 ,  马彪 ,  王海丰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明属于耐磨金属薄膜技术领域，涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中，向沉积环境中输入离化气体；S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层，沉积至厚度4～5nm后关闭一号电源；S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层，沉积至厚度4～5nm后关闭二号电源；S4：按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上；S5：重复S3～S4，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。本发明提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密，摩擦系数大幅度降低，综合性能更加优良。

公开(公告)号：CN116815116A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310693124.1

申请日：2023-06-13

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 周青 ,  李旗抗 ,  黄卓斌 ,  钱旦 ,  尹存宏 ,  王海丰

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种耐磨多主元合金氮化物薄膜，其特征在于：包括以氩气和氮气为离化气体在硅基底上直接镀覆一层(VCoNi)Nx薄膜；所述(VCoNi)Nx薄膜包含按照原子百分比含量计算的如下元素：V19～39％、Co19～39％、Ni19～39％、N0～35％。所述(VCoNi)Nx薄膜由磁控溅射技术在基体表面沉积而获得的，且晶体相具有面心立方结构。该发明的技术效果为采用磁控溅射技术制备而具有面心立方结构的(VCoNi)Nx薄膜，相比原多主元合金VCoNi薄膜与合金氮化物薄膜，该薄膜表现出更高的硬度以及优异的耐磨损性能，其硬度高于8GPa，磨损率低于3.99×10‑6mm3/Nm表现出优异的耐磨损性能；可以在高磨损环境中以较低的成本对基体进行良好保护，易于在工业上实现与推广。

公开(公告)号：CN113373416B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110638882.4

申请日：2021-06-08

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 周青 ,  罗大微 ,  黄卓斌 ,  钱旦 ,  马彪 ,  王海丰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明属于耐磨金属薄膜技术领域，涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中，向沉积环境中输入离化气体；S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层，沉积至厚度4～5nm后关闭一号电源；S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层，沉积至厚度4～5nm后关闭二号电源；S4：按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上；S5：重复S3～S4，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。本发明提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密，摩擦系数大幅度降低，综合性能更加优良。