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公开(公告)号：CN115677537A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211237659.X
申请日：2022-10-10
Applicant: 西北工业大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种流体剪切力调控的FAPbI3钙钛矿纳米晶的制备方法；通过调控反溶剂中流体剪切力的大小可以得到较高荧光量子产率和稳定性的钙钛矿纳米晶。本发明提供了上述钙钛矿纳米晶的制备方法。该制备方法包括以下步骤：钙钛矿前驱体的制备：在大气环境中，将FAI、PbI2溶解于极性溶剂N，N‑二甲基甲酰胺中，即得到钙钛矿前驱体溶液；反溶剂的引入：在不同的搅拌状态下将钙钛矿前躯体注入到三氯甲烷的反溶剂中，纳米晶瞬间成核并长大；纳米晶粗溶液纯化处理：将纳米晶粗溶液两次离心纯化，最后得到溶解在正己烷中的高质量纳米晶溶液。本发明提供的制备纳米晶的方法，得到的纳米晶溶液荧光量子产率接近100％，稳定性高，该方法操作简单且重现性好。
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公开(公告)号：CN112768612A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110010662.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种银纳米立方耦合的量子点发光二极管及制备方法，在覆盖第一层空穴传输层的透明导电玻璃上加入银纳米立方溶液，经热处理后旋涂第二层空穴传输层，再经热处理后在第二层空穴传输层上旋涂所述量子点溶液并经热处理后形成发光层，然后在所述发光层上旋涂电子传输层，最后在电子传输层上热蒸镀金属电极，即得银纳米立方棒耦合的量子点发光二极管。本发明提供的制备方法，操作过程简易，制备周期短且可重复性高。本发明的银纳米立方耦合的量子点发光二极管提高了量子点发光二极管的电致发光亮度，转化效率等光电性能，改善了量子点材料的俄歇复合过程。
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公开(公告)号：CN111697149A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010567263.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中，配制成浓度为1～32mM的A溶液和浓度为2～64mM的B溶液；将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1～1.5混合反应，得到硫酸辛胺-反溶剂溶液；将硫酸辛胺-反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面，静置3～60s后，即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面均匀涂覆硫酸辛胺-反溶剂后，静置反应，可以使硫酸根与铅离子原位反应以有效实现对薄膜表面的缺陷的钝化，硫酸根与铅离子以强化学键作用结合，避免了传统有机小分子配位后易流失的现象，实现了薄膜稳定性及发光性能的同时提高。
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公开(公告)号：CN116495772A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310475318.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了基于液相脉冲激光诱导的全无机钙钛矿纳米晶的制备方法，属于钙钛矿发光材料技术领域。该制备方法是：以Cs2CO3和PbBr2为反应前驱体，加入正己烷、油酸和油胺，在1064nm的脉冲激光束下，进行辐照反应；将辐照反应完成的产物进行一次离心处理，得到上清液，在将上清液进行二次离心处理得到固体产物钙钛矿纳米晶。本发明利用液相脉冲激光辐射技术在无惰性气体保护的条件下成功制备出具有高荧光量子产率的全无机钙钛矿纳米晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116495772B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310475318.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了基于液相脉冲激光诱导的全无机钙钛矿纳米晶的制备方法，属于钙钛矿发光材料技术领域。该制备方法是：以Cs2CO3和PbBr2为反应前驱体，加入正己烷、油酸和油胺，在1064nm的脉冲激光束下，进行辐照反应；将辐照反应完成的产物进行一次离心处理，得到上清液，在将上清液进行二次离心处理得到固体产物钙钛矿纳米晶。本发明利用液相脉冲激光辐射技术在无惰性气体保护的条件下成功制备出具有高荧光量子产率的全无机钙钛矿纳米晶。
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公开(公告)号：CN116648081A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310869734.2
申请日：2023-07-17
Applicant: 西北工业大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/805 , H10K71/12 , H10K71/60 , H10K71/40
Abstract: 本发明提供一种等离激元腔体结构耦合的量子点发光二极管及制备方法，包括透明导电玻璃、第一空穴传输层、第二空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属电极；第二空穴传输层的制备：S1、将银盐溶液加热至沸腾，加入柠檬酸盐溶液回流反应，制得柠檬酸修饰的银纳米颗粒；S2、将含有氯化钠的乙二醇溶液加热，加入柠檬酸修饰的银纳米颗粒和聚乙烯吡咯烷酮前驱体溶液反应，加入可聚合硅氧烷和光引发剂，得到银纳米溶液；S3、在第一空穴传输层上点涂银纳米溶液，经光聚合后形成银纳米颗粒层，旋涂TFB溶液，经热处理得到第二空穴传输层。通过在半导体器件中引入等离激元腔体结构，抑制俄歇复合过程，提升了器件的外量子效率和亮度。
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公开(公告)号：CN115915876A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211195591.3
申请日：2022-09-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氨基酸调控蓝光钙钛发光二极管的制备方法，属于半导体器件生产技术领域。包括以下步骤：钙钛矿前驱体的配置：在惰性气体保护下，将溴化铅(PbBr2)，溴化铯(CsBr)，β‑丙氨酸(3C)，和苯乙基溴化铵(PEABr)溶解分散到极性溶剂二甲基亚砜(DMSO)中，即得到钙钛矿的前驱体溶液；纯溴准二维钙钛矿蓝光发光二极管的制备：在导电玻璃氧化铟锡玻璃(ITO)上旋涂空穴传输层PEDOT:PSS并在空气中退火，随后在手套箱惰性气体(N2)的保护下在空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液，经过之后的热退火处理形成发光层，然后在发光层上旋涂钝化层，最后在钝化层上蒸镀电子传输层和金属电极，即得到氨基酸调控的蓝光钙钛矿发光二极管。本发明提供的制备方法，制备过程简易，周期短且可重复性高。
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公开(公告)号：CN111697148B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010566115.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法，属于半导体器件生产技术领域。包括以下步骤：量子点溶液制备：在惰性气体保护下，利用热注入的方法制备出硒化镉/硫化镉核壳结构的量子点，随后将量子点分散到极性溶剂中，即得量子点溶液；发光二极管的制备：在覆盖第一层空穴传输层的导电衬底上加入金纳米棒水溶液使其覆盖整个空穴传输层表面，旋涂第二层空穴传输层，随后在第二层空穴传输层上旋涂所述量子点溶液并经热处理后形成发光层，然后在所述发光层上旋涂电子传输层，最后在电子传输层上热蒸镀金属电极，即得金纳米棒耦合的量子点发光二极管。本发明提供的制备方法，制备过程简易，周期短且可重复性高。
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公开(公告)号：CN111697148A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010566115.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法，属于半导体器件生产技术领域。包括以下步骤：量子点溶液制备：在惰性气体保护下，利用热注入的方法制备出硒化镉/硫化镉核壳结构的量子点，随后将量子点分散到极性溶剂中，即得量子点溶液；发光二极管的制备：在覆盖第一层空穴传输层的导电衬底上加入金纳米棒水溶液使其覆盖整个空穴传输层表面，旋涂第二层空穴传输层，随后在第二层空穴传输层上旋涂所述量子点溶液并经热处理后形成发光层，然后在所述发光层上旋涂电子传输层，最后在电子传输层上热蒸镀金属电极，即得金纳米棒耦合的量子点发光二极管。本发明提供的制备方法，制备过程简易，周期短且可重复性高。
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