一种可低温烧结的NTC热敏半导体陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN101108773A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200610043182.6

    申请日:2006-07-20

    Abstract: 一种可低温烧结的NTC热敏半导体陶瓷及其制备方法,可以在950℃实现致密化烧结。本发明以硝酸锰、硝酸钴、硝酸镍、柠檬酸、乙二醇、氨水为原料,采用溶胶凝胶自蔓延工艺合成为Mn-Co-Ni-O纳米粉体,并以该粉体为起始原料,在其中加入三氧化二铋,经球磨混合、烘干、造粒、成型、排胶、烧结、烧银,制备出可以实用化的NTC热敏半导体陶瓷。本发明的特点在于实现了Mn-Co-Ni-O基热敏半导体陶瓷在950℃致密化烧结,为制备多层片式NTC热敏电阻奠定技术基础,对加快我国NTC热敏电阻片式化步伐,具有重要的理论意义和工程应用价值。

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