公开(公告)号：CN109273597B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201810993822.2

申请日：2018-08-29

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 谭婷婷 ,  杜怡行 ,  曹爱 ,  查钢强 ,  陈勇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息存储器件技术领域。该阻变存储器金属‑绝缘体‑金属(MIM)三明治结构，该MIM结构的顶电极与底电极分别为金属电极，金属电极之间的阻变介质为非晶氧化锶薄膜。本发明采用氧化锶薄膜作为阻变材料，可制备出低功耗、高存储窗口和稳定性较好的阻变存储器，从而具有多值存储和高密度存储的潜力。

公开(公告)号：CN109273597A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810993822.2

申请日：2018-08-29

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 谭婷婷 ,  杜怡行 ,  曹爱 ,  查钢强 ,  陈勇

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L45/08 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息存储器件技术领域。该阻变存储器金属-绝缘体-金属(MIM)三明治结构，该MIM结构的顶电极与底电极分别为金属电极，金属电极之间的阻变介质为非晶氧化锶薄膜。本发明采用氧化锶薄膜作为阻变材料，可制备出低功耗、高存储窗口和稳定性较好的阻变存储器，从而具有多值存储和高密度存储的潜力。