公开(公告)号：CN102332575B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110284939.1

申请日：2011-09-22

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄英 ,  王秋芬 ,  赵阳 ,  齐暑华 ,  王岩 ,  姚文慧 ,  王雷 ,  张银玲 ,  何倩 ,  宗蒙

IPC: H01M4/485

Abstract: 本发明涉及一种锂电池碳掺杂锡酸锂负极材料的制备方法，用于解决现有的方法制备的纯相Li2SnO3初始不可逆容量大的技术问题。技术方案是采用水热法直接合成Li2SnO3前驱体，而后在氩气保护下经烧结得到碳掺杂的锡酸锂材料。由于碳的掺杂，有效地缓解了充放电时所引起的体积变化，抑制在脱插锂反应时的“团聚”现象，避免了材料电极容量衰减过快，在电流密度60mAg-1条件下，充放电电压范围为0.05-2.0V条件下，初次不可逆容量由背景技术的657mAhg-1降低到289.2-489.8mAhg-1，使得碳掺杂锡酸锂负极材料的容量远大于普通碳材料的理论容量，且高于纯相Li2SnO3的循环性能。

公开(公告)号：CN102332575A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110284939.1

申请日：2011-09-22

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄英 ,  王秋芬 ,  赵阳 ,  齐暑华 ,  王岩 ,  姚文慧 ,  王雷 ,  张银玲 ,  何倩 ,  宗蒙

IPC: H01M4/485

Abstract: 本发明涉及一种锂电池碳掺杂锡酸锂负极材料的制备方法，用于解决现有的方法制备的纯相Li2SnO3初始不可逆容量大的技术问题。技术方案是采用水热法直接合成Li2SnO3前驱体，而后在氩气保护下经烧结得到碳掺杂的锡酸锂材料。由于碳的掺杂，有效地缓解了充放电时所引起的体积变化，抑制在脱插锂反应时的“团聚”现象，避免了材料电极容量衰减过快，在电流密度60mAg-1条件下，充放电电压范围为0.05-2.0V条件下，初次不可逆容量由背景技术的657mAhg-1降低到289.2-489.8mAhg-1，使得碳掺杂锡酸锂负极材料的容量远大于普通碳材料的理论容量，且高于纯相Li2SnO3的循环性能。

公开(公告)号：CN102531407A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210019751.9

申请日：2012-01-21

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 黄英 ,  张银玲 ,  蹇木强 ,  付亚北 ,  李超 ,  何倩

IPC: C03C17/23 ,  C03C17/32

Abstract: 本发明公开了一种聚邻乙氧基苯胺/氧化铁复合薄膜的制备方法，用于解决现有的层层自组装法制备的POEA/γ-Fe2O3复合薄膜的吸波性能差的技术问题。技术方案是采用化学氧化法合成导电高聚物POEA，采用水热法制备Fe3O4磁流体，最后采用层层自组装法制备出POEA/Fe3O4复合薄膜，该POEA/Fe3O4复合薄膜具有良好的吸波性能。经测试，在8-12GHz频率范围内，POEA/Fe3O4复合薄膜既有磁损耗，又有电损耗。磁损耗角正切在约8.9GHz处最大，约为0.36；介电损耗角正切在约11GHz处最大，约为0.07。总损耗的变化趋势与磁损耗基本一致，且最大磁损耗约为最大电损耗的5倍，说明复合薄膜以磁损耗为主。