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公开(公告)号:CN116692913A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310674740.2
申请日:2023-06-08
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高纯单晶球形氧化铝粉体及其制备方法和应用,涉及粉体材料技术领域。本发明提供的高纯单晶球形氧化铝粉体的制备方法,包括以下步骤:(1)将低钠类球形单晶α‑氧化铝与酸溶液进行球磨混合,加入氨水进行中和,得到混合浆料;(2)将所述混合浆料进行喷雾干燥,得到高纯类球形单晶α‑氧化铝;(3)将所述高纯类球形单晶α‑氧化铝进行球化处理,得到高纯单晶球形氧化铝粉体。本发明制备的高纯单晶球形氧化铝粉体致密度高、热导率高,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN112897989B
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202110146161.1
申请日:2021-02-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 一种B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3陶瓷及其制备方法。由SrCO3、La2O3、ZrO2、TiO2、SnO2、HfO2、Nb2O5、MnO2、Bi2O3制成的B位高熵钙钛矿氧化物。为纯相B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3(M=Zr,Ti,Sn,Hf,Mn,Nb),该材料的化学式为Sr0.9La0.1(Zr1/4Ti1/4Sn1/4Hf1/4)O3、Sr0.9La0.1(Zr1/5Ti1/5Sn1/5Hf1/5Mn1/5)O3、Sr0.9La0.1(Zr1/6Ti1/6Sn1/6Hf1/6Mn1/6Nb1/6)O3。所述B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3具有单相钙钛矿结构,内部各元素均匀分布,无团聚现象,与SrTiO3陶瓷体系热导率12W/m·K相比,能够有效降低热导率,适用于热电材料领域。
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公开(公告)号:CN118459218A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410642871.7
申请日:2024-05-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/465
Abstract: 一种片状钙钛矿结构高熵陶瓷粉体及其制备方法,通过容差因子t设计材料组分,以SrCO3、BaCO3、CaCO3、La2O3、PbO、Bi2O3和TiO2为原料采用二步熔盐法制备高熵片状钙钛矿结构(Ca0.25Sr0.25Ba0.25La0.25)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Pb0.25)TiO3粉体材料。所制备的高熵片状钙钛矿结构粉体为使用模板晶粒生长技术制备高熵片状钙钛矿织构陶瓷提供了模板籽晶。同时由于多组元协同下的“高熵效应”和特殊的形貌,能够获得独特的电学和热学性能。本发明原料易得,所用介质为盐,易溶水不会给后处理带来困难或污染环境;另外本发明具有工艺简单、工艺参数易控和易于产业化特点,得到的粉体片状形貌较好且稳定。
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公开(公告)号:CN114672124B
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202210269441.6
申请日:2022-03-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08L51/00 , C08K3/24 , C08J5/18 , C08F259/08 , C08F220/14
Abstract: 一种高介电可调复合材料的制备方法,采用原子转移自由基聚合的方法进行接枝处理避免引入新的有机物对产物性能造成影响;引入聚甲基丙烯酸甲酯改善陶瓷与聚合物相的不相容性。聚甲基丙烯酸甲酯接枝改性后的钛酸锶钡/聚偏氟乙烯复合材料缓和了陶瓷/聚合物两相界面的不相容性,减少了缺陷以及界面处空间电荷的积累,从而使复合材料能够承载更高的电压;同时由于界面电荷聚集造成的内建电场较小,电场更容易作用在钛酸锶钡相上,从而增大接枝复合材料的介电可调性。本发明得到的钛酸锶钡/聚偏氟乙烯‑聚甲基丙烯酸甲酯复合材料具有较低的介电损耗、较高的击穿强度和介电可调性,为后续陶瓷/聚合物复合材料的改性工艺优化及应用提供了技术基础。
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公开(公告)号:CN113943162B
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202111223451.8
申请日:2021-10-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种α‑SiAlON高熵透明陶瓷材料及其制备方法,其化学通式为(RE1aRE2bRE3cRE4dRE5e)m/3Si12‑(m+n)Alm+nOnN16‑n。本发明通过α‑SiAlON陶瓷高熵化、粉体纳米化、组分优选以及优化的烧结工艺,获得透光率为65~76%、硬度为23~25GPa的α‑SiAlON、断裂韧性达到4~5MPa m1/2、弯曲强度达到500~650MPa、光学性能和力学性能均达到较高水平高熵透明陶瓷材料。
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公开(公告)号:CN112960978B
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202110149966.1
申请日:2021-02-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/50 , C04B35/468
Abstract: 一种A位高熵钙钛矿氧化物热电陶瓷及其制备方法,A位高熵钙钛矿氧化物具有单相钙钛矿结构,内部各元素均匀分布,无团聚现象,且具有热电性能,可用于热电材料领域。该A位高熵钙钛矿氧化物的化学组为:(Ca0.2Sr0.2Ba0.2La0.2Pb0.2)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25La0.25)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Pb0.25)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Nd0.25)TiO3或(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Sm0.25)TiO3。本发明实现了钙钛矿结构高熵化,提高材料组成中原子排列的混乱度,增加声子散射,降低热导率,进而提高热电性能;烧结中,使氧原子借由材料晶格中的氧空位迁移排出,在减小气孔率、提高陶瓷密度的同时,提高氧空位浓度,提高材料的载流子浓度。采用的氩气加碳粉的还原退火工艺实现了钙钛矿氧化物半导化,提高陶瓷的载流子浓度,提高电导率,进而提高热电性能。
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公开(公告)号:CN114672124A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210269441.6
申请日:2022-03-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08L51/00 , C08K3/24 , C08J5/18 , C08F259/08 , C08F220/14
Abstract: 一种高介电可调复合材料的制备方法,采用原子转移自由基聚合的方法进行接枝处理避免引入新的有机物对产物性能造成影响;引入聚甲基丙烯酸甲酯改善陶瓷与聚合物相的不相容性。聚甲基丙烯酸甲酯接枝改性后的钛酸锶钡/聚偏氟乙烯复合材料缓和了陶瓷/聚合物两相界面的不相容性,减少了缺陷以及界面处空间电荷的积累,从而使复合材料能够承载更高的电压;同时由于界面电荷聚集造成的内建电场较小,电场更容易作用在钛酸锶钡相上,从而增大接枝复合材料的介电可调性。本发明得到的钛酸锶钡/聚偏氟乙烯‑聚甲基丙烯酸甲酯复合材料具有较低的介电损耗、较高的击穿强度和介电可调性,为后续陶瓷/聚合物复合材料的改性工艺优化及应用提供了技术基础。
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公开(公告)号:CN112897989A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110146161.1
申请日:2021-02-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 一种B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3陶瓷及其制备方法。由SrCO3、La2O3、ZrO2、TiO2、SnO2、HfO2、Nb2O5、MnO2、Bi2O3制成的B位高熵钙钛矿氧化物。为纯相B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3(M=Zr,Ti,Sn,Hf,Mn,Nb),该材料的化学式为Sr0.9La0.1(Zr1/4Ti1/4Sn1/4Hf1/4)O3、Sr0.9La0.1(Zr1/5Ti1/5Sn1/5Hf1/5Mn1/5)O3、Sr0.9La0.1(Zr1/6Ti1/6Sn1/6Hf1/6Mn1/6Nb1/6)O3。所述B位高熵钙钛矿氧化物Sr0.9La0.1MO3具有单相钙钛矿结构,内部各元素均匀分布,无团聚现象,与SrTiO3陶瓷体系热导率12W/m·K相比,能够有效降低热导率,适用于热电材料领域。
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公开(公告)号:CN114672133B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202210269424.2
申请日:2022-03-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08L61/16 , C08L81/06 , C08K3/24 , C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 一种介电频率稳定性钛酸锶钡/聚醚醚酮复合材料及制备方法,以Ba0.6Sr0.4TiO3粉体作为填料,以聚醚醚酮粉体作为基材、以聚醚砜粉体为界面改性剂,通过烧结后使聚醚醚酮熔融再冷却,覆盖在聚醚砜改性的钛酸锶钡粉体颗粒的表面上,使该聚醚醚酮均匀地包裹无机钛酸锶钡颗粒,二者陶瓷相和聚合物相混合均匀,且表面接触充分。本发明操作简单,得到的聚醚砜改性钛酸锶钡/聚醚醚酮复合材料的介电常数具有较高的频率稳定性,且介电损耗低、介电可调性高,为合成具有介电可调性和良好介电性能的新型陶瓷/聚合物复合材料提供了有效的途径,为后续陶瓷/聚合物复合材料的功能性优化、界面改性及应用提供了技术基础。
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公开(公告)号:CN111186832B
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202010018212.8
申请日:2020-01-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B32/182 , C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种超低热导率氮掺杂石墨烯气凝胶,涉及无机材料技术领域。氮掺杂石墨烯气凝胶具有均匀的三维网络结构,孔径为30~100μm,密度为3.1~15.9mg/cm3,氮元素含量为2.4%~10%,热导率为0.015~0.039W/(m·K);本发明还提供了一种超低热导率氮掺杂石墨烯气凝胶制备方法。本发明通过水热反应和热处理调节石墨烯气凝胶氮元素含量,同时通过控制冷冻温度调节石墨烯气凝胶微观结构以降低热导率的目的。
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