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公开(公告)号：CN112679530A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011559305.8
申请日：2020-12-25
Applicant: 蚌埠学院
IPC: C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，公开了一种室温条件下具有高空穴迁移率的齐聚物材料，该齐聚物材料具有如式(I)所示的结构通式，当共轭骨架上的两种烷基侧链R1和R2都为异辛基时，降低了齐聚物材料的溶解度，提高了齐聚物材料的空穴迁移率，该类齐聚物材料能够在室温下成膜，无需经过任何热处理，即具有良好的空穴迁移率(≥0.20cm2V‑1s‑1)
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