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公开(公告)号:CN113461712A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110714872.4
申请日:2021-06-26
Applicant: 蚌埠学院
IPC: C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域,公开了一种溶液加工型齐聚物半导体材料,具有如式(I)所示的结构通式,可以通过改变共轭骨架上的两种烷基侧链R1和R2来调节材料的溶解度和空穴迁移率,这种半导体材料的HOMO能级接近金电极(‑5.10eV),以其作为P型有源层的薄膜晶体管阈值电压低至‑2.73V,该半导体材料在氯仿中溶解性≧6mg/ml,在空气环境下旋涂成膜时,制备的薄膜晶体管经过热处理后其空穴迁移率为0.151cm2V‑1s‑1。
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