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公开(公告)号：CN110455168B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910823851.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种高世代TFT玻璃A型架检测装置，包括水平基座，水平基座顶面画有矩形标志线，矩形标志线作为A型架的放置区域；水平基座顶面两侧对称设有呈直角三角形的检测架，检测架的朝向与A型架的朝向相同、且检测架斜边的斜度与A型架相同；检测架设有定位挡板、标尺与测量尺等部件，通过个部件的配合可以对A型架的外形尺寸进行测量；本检测装置还包括架设于检测架上的方杆以及放置于A型架底板的基准面测量方杆，通过方杆和基准面测量方杆可以对A型架的背板平面度、底板平面度进行有效测量，提高检测精度，减小检测误差。
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公开(公告)号：CN110554065A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910821165.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: G01N23/207 , G01N23/223 , G01N1/28 , C23C14/34 , C23C14/18
Abstract: 本发明涉及一种玻璃基板内部缺陷处理及成分分析方法，其特征在于：将待测玻璃样片（8）放在便携式放大目镜的场透镜（2），并将玻璃样片内部缺陷确定在场透镜镜面十字刻度线交叉处（9）上；手持玻璃刀支撑部（5），用刀轮（4）手动切割玻璃内部缺陷表面，使玻璃暴露出内部缺陷；将暴露出内部缺陷的玻璃样片切面（11）做镀金处理，在切面表面形成一层适中密度的膜层。本发明优点：结构简单实用、操作方便、适用范围广、效率高，满足生产过程中玻璃基板内部缺陷大小在10μm以上的缺陷成分分析的需要。
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公开(公告)号：CN110553592A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910823853.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开一种测量高世代TFT基板玻璃下垂度的方法，包括以下步骤：S1、取待测量的TFT基板玻璃样本；S2、沿TFT基板玻璃样本底面的中心线粘贴遮光条；S3、将TFT基板玻璃样本放置于测试支架；S4、将激光测距仪放置于测试平台上，利用激光测距仪测量测试平台至TFT基板玻璃样本最低点的垂直距离Hmin，TFT基板玻璃下垂度=H0-Hmin-H1，公式中H0为测试支架的高度、H1为遮光条的厚度；使用激光测距仪测量玻璃下垂度，测量机构不接触玻璃表面避免测量过程中测试机构接触玻璃的引起的抖动干扰测试结果；激光测距仪可以在测量平台上移动，玻璃中心的数据也同样可以测量，保证测量的准确性。
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公开(公告)号：CN110455168A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910823851.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种高世代TFT玻璃A型架检测装置，包括水平基座，水平基座顶面画有矩形标志线，矩形标志线作为A型架的放置区域；水平基座顶面两侧对称设有呈直角三角形的检测架，检测架的朝向与A型架的朝向相同、且检测架斜边的斜度与A型架相同；检测架设有定位挡板、标尺与测量尺等部件，通过个部件的配合可以对A型架的外形尺寸进行测量；本检测装置还包括架设于检测架上的方杆以及放置于A型架底板的基准面测量方杆，通过方杆和基准面测量方杆可以对A型架的背板平面度、底板平面度进行有效测量，提高检测精度，减小检测误差。
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公开(公告)号：CN210268508U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921446121.3
申请日：2019-09-02
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高世代TFT玻璃A型架检测装置，包括水平基座，水平基座顶面画有矩形标志线，矩形标志线作为A型架的放置区域；水平基座顶面两侧对称设有呈直角三角形的检测架，检测架的朝向与A型架的朝向相同、且检测架斜边的斜度与A型架相同；检测架设有定位挡板、标尺与测量尺等部件，通过个部件的配合可以对A型架的外形尺寸进行测量；本检测装置还包括架设于检测架上的方杆以及放置于A型架底板的基准面测量方杆，通过方杆和基准面测量方杆可以对A型架的背板平面度、底板平面度进行有效测量，提高检测精度，减小检测误差。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115754247B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211585275.7
申请日：2022-12-10
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
IPC: G01N33/24
Abstract: 本发明公开了一种石英砂松散度检测方法及评价装置，涉及石英砂质量检测技术领域。本评价装置包括有评价板，所述评价板上表面一侧固定连接有支架，支架为“L”字型，支架水平向的顶端一侧安装有控制开关，支架水平向底面安装有抓手，控制开关用于控制抓手；评价板设置有分级盘，分级盘位于抓手正下方，分级盘用于评价石英砂溶解至扩散的速度。本发明通过在评价板上设置分级盘，并在评价板一侧固定支架，同时在支架顶端设置控制开关，在控制开关下方安装抓手，并将分级盘设置在抓手的正下方，分级盘设置多个等距的等级线，使被加热的石英砂的分散程度可被直观的观察而出，提高了评价石英砂质量的直观性和便捷度。
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公开(公告)号：CN115925272A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211563084.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于TFT‑LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，属于玻璃基板处理技术领域，化学处理工艺过程包括如下步骤，首先，将玻璃基板置于化学处理装置内，先经过混酸超声波处理0.5h，再经碱式清洗剂洗涤处理，完成TFT‑LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，本发明增加化学处理工艺，通过化学超声波处理能够处理玻璃基板表面残留的点状黏附或者嵌入表面的缺陷，通过清洗工艺，清洗玻璃基板经过混酸超声波处理以后表面残留的混酸溶液。同时，本发明提供了与化学处理工艺相配套的化学处理装置，经试验得出，TFT玻璃的蚀刻速率可达到0.004mm/m i n，实现提高TFT‑LCD玻璃基板生产效率的目的。
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公开(公告)号：CN115754247A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211585275.7
申请日：2022-12-10
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司 , 玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
IPC: G01N33/24
Abstract: 本发明公开了一种石英砂松散度检测方法及评价装置，涉及石英砂质量检测技术领域。本评价装置包括有评价板，所述评价板上表面一侧固定连接有支架，支架为“L”字型，支架水平向的顶端一侧安装有控制开关，支架水平向底面安装有抓手，控制开关用于控制抓手；评价板设置有分级盘，分级盘位于抓手正下方，分级盘用于评价石英砂溶解至扩散的速度。本发明通过在评价板上设置分级盘，并在评价板一侧固定支架，同时在支架顶端设置控制开关，在控制开关下方安装抓手，并将分级盘设置在抓手的正下方，分级盘设置多个等距的等级线，使被加热的石英砂的分散程度可被直观的观察而出，提高了评价石英砂质量的直观性和便捷度。
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公开(公告)号：CN114354338B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111531310.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种玻璃热震稳定性的检测方法，涉及玻璃基板检测技术领域，解决了现有方法不能完全贴合液晶面板生产工艺要求的技术问题；包括玻璃基板最大允许升温速率检测与玻璃基板与空气间最大允许温度检测，具体为：将样品放置于常温下的箱式电阻炉中，然后设置箱式电阻炉的控温程序为初始模式，对玻璃基板进行最大允许升温速率检测；根据检测结果逐级改变控温程序中的升温速率，继续检测；设置箱式电阻炉的恒温温度为初始温度，将样品放置于初始温度下的箱式电阻炉中进行玻璃基板与空气间最大允许温度检测，根据检测结果逐级改变箱式电阻炉的恒温温度，继续检测；本发明能够更加贴合液晶面板热处理的生产工艺，使试验目的更具准确性。
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公开(公告)号：CN114609169A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210073792.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 蚌埠中光电科技有限公司
IPC: G01N23/223 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种玻璃配合料均匀度的测定方法，涉及玻璃制作技术领域，解决了玻璃配合料均匀度测定技术问题；利用粉末压片法制备标准样品和待测样品，用X荧光光谱仪扫描标准样品，得到标准样品各种组分的实测强度，再利用基本参数FP法，建立灵敏度系数标准曲线；根据建立的标准曲线用X射线荧光光谱仪检测待测样品的各主要成分的含量，通过计算平均相对标准偏差，最终得到玻璃配合料的均匀度；本发明的测定方法以多个组分进行衡量玻璃配合料均匀度，操作简便、快捷，避免了现有配合料均匀度X荧光测定方法的高温熔样制片环节，也避免了像滴定法或电导率法只能衡量溶于水的特定成分的均匀度的以偏概全的弊端。
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