公开(公告)号：CN111344544A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073429.X

申请日：2018-11-13

Applicant: 荷兰应用科学研究会(TNO)

Inventor： 格温·赫尔曼纳斯·格林克

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

Abstract: 一种用于量测热辐射之微辐射热计包含一穿孔塑料基体上之一电路。该电路包含具有一温度相关电阻之至少一个热敏电阻器，其中该热敏电阻器经配置以接收该热辐射以取决于所接收之热辐射的一通量而改变其温度。该电路经组配以量测该热敏电阻器之该电阻以计算该热辐射。该微辐射热计经组配以使一气流通过穿孔以改良热特性。

公开(公告)号：CN111133583B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880062257.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用科学研究会(TNO)

Inventor： 格温·赫尔曼纳斯·格林克 ,  简-劳伦斯·彼得·雅各布·范·德尔·斯廷

IPC: H01L29/417

Abstract: 该外部部分面向该主导主电极的该外部部分的指明一种高电压薄膜晶体管，包含在一栅极 一侧之间，其中该第一距离至少是该第二距离的电极层(31)中的一栅极电极(G11，G21)，在与该 两倍大。栅极电极层平行的一沟道层(34)中的一半导体沟道(C11，C12)，该半导体沟道藉由一栅极介电层(32)而与该栅极电极电气绝缘。该晶体管还包含一主导主电极及一从属主电极(M11，M12)。主电极各具有在一主电极层(36)中的一外部部分(M11e，M12e)及一内部部分(M11e，M12e)，该内部部分突出通过在该主电极层与该沟道层之间的一另一介电层(35)，以分别在一主导主电极接触区域(M11c)及一从属主电极接触区域(M12c)中电气接触该半导体沟道。一第一距离(D1)界定在该主导主电极接触区域面向该从属主电极接触区域的一侧与该主导主电极的该外部部分面向该从属主电极的该外部部分的一侧之间。一第二

公开(公告)号：CN111133583A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062257.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用科学研究会(TNO)

Inventor： 格温·赫尔曼纳斯·格林克 ,  简-劳伦斯·彼得·雅各布·范·德尔·斯廷

IPC: H01L29/417

Abstract: 指明一种高电压薄膜晶体管，包含在一栅极电极层(31)中的一栅极电极(G11，G21)，在与该栅极电极层平行的一沟道层(34)中的一半导体沟道(C11，C12)，该半导体沟道藉由一栅极介电层(32)而与该栅极电极电气绝缘。该晶体管还包含一主导主电极及一从属主电极(M11，M12)。主电极各具有在一主电极层(36)中的一外部部分(M11e，M12e)及一内部部分(M11e，M12e)，该内部部分突出通过在该主电极层与该沟道层之间的一另一介电层(35)，以分别在一主导主电极接触区域(M11c)及一从属主电极接触区域(M12c)中电气接触该半导体沟道。一第一距离(D1)界定在该主导主电极接触区域面向该从属主电极接触区域的一侧与该主导主电极的该外部部分面向该从属主电极的该外部部分的一侧之间。一第二距离(D2)界定在该从属主电极接触区域面向该主导主电极接触区域的一侧与该从属主电极的该外部部分面向该主导主电极的该外部部分的一侧之间，其中该第一距离至少是该第二距离的两倍大。

公开(公告)号：CN111344544B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201880073429.X

申请日：2018-11-13

Applicant: 荷兰应用科学研究会(TNO)

Inventor： 格温·赫尔曼纳斯·格林克

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

公开(公告)号：CN111868577A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017777.X

申请日：2019-03-08

Applicant: 荷兰应用科学研究会(TNO)

Inventor： 丹尼尔·托尔德拉·萨尔瓦多 ,  格温·赫尔曼纳斯·格林克 ,  桑迪普·乌尼克里希南 ,  希尔克·布勒·阿克曼 ,  巴特·佩特斯 ,  阿尔贝特·霍斯·简·玛丽·范·布里曼

IPC: G02B5/20 ,  G06F21/32 ,  G06K9/00 ,  C01B32/158

Abstract: 一种准直仪滤波器(10)，包含：一入射表面(11)，以接收具有不同的入射角(θi，θi')的入射光(Li，Li')；及一出射表面(12)，以允许输出光(Lo)从该准直仪滤波器(10)离开。在该入射表面(11)与该出射表面(12)之间的一滤波器结构只透射具有低于一临界角(θmax)的入射角(θi)的该入射光(Li)的部分。该滤波器结构包含一图案化的多个碳纳米管(1)的阵列，其中，该多个纳米管在该入射表面(11)与该出射表面(12)之间沿该主透射方向(Z)对齐地延伸。该多个纳米管(1)被布置成形成一横向于该主透射方向(Z)的二维图案(P)。在该图案(P)中的没有纳米管(1)的开放区域在该多个纳米管(1)之间形成微孔径(A)，用于使该输出光(Lo)透射穿过该滤波器结构。