公开(公告)号：CN107068654B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710073796.7

申请日：2017-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D.哈默施密特 ,  F.拉斯博尼希 ,  W.沙伊本朱伯 ,  H-J.瓦格纳 ,  T.策特勒

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明涉及具有断裂探测的半导体芯片。半导体芯片（100）包括：衬底（101）、集成电路（102）、衬底（101）的凹部（110）、印制导线（121）、以及在凹部（110）和印制导线（121）之间的交叉部（111）。这样能够实现试验信号的探测，该试验信号被馈送到印制导线（121）中。在不同的示例中可以探测衬底（101）在凹部（110）的区域中的断裂。

公开(公告)号：CN107068654A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710073796.7

申请日：2017-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D.哈默施密特 ,  F.拉斯博尼希 ,  W.沙伊本朱伯 ,  H-J.瓦格纳 ,  T.策特勒

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明涉及具有断裂探测的半导体芯片。半导体芯片（100）包括：衬底（101）、集成电路（102）、衬底（101）的凹部（110）、印制导线（121）、以及在凹部（110）和印制导线（121）之间的交叉部（111）。这样能够实现试验信号的探测，该试验信号被馈送到印制导线（121）中。在不同的示例中可以探测衬底（101）在凹部（110）的区域中的断裂。