公开(公告)号：CN101095223B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200580030142.1

申请日：2005-08-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  U·邵 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·纳吉塞蒂 ,  R·曹

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一介电层，在第一介电层之内形成沟槽，以及在衬底上形成第二介电层。第二介电层具有形成于沟槽中的第一部分，以及第二部分。在于所述第二介电层的所述第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，将部分所述第一金属层转变为具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：CN101095223A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580030142.1

申请日：2005-08-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  U·邵 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·纳吉塞蒂 ,  R·曹

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一介电层，在第一介电层之内形成沟槽，以及在衬底上形成第二介电层。第二介电层具有形成于沟槽中的第一部分，以及第二部分。在于所述第二介电层的所述第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，将部分所述第一金属层转变为具有第二功函数的第二金属层。