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公开(公告)号：CN103946814A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075150.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F9/4403
Abstract: 非易失性随机存取存储器(NVRAM)在计算机系统中用来存储允许NVRAM在通电时自主地初始化它本身的信息。计算机系统包括处理器、耦合到处理器的NVRAM控制器以及包括NVRAM控制器的NVRAM。NVRAM是可由处理器来字节重写和字节擦除的。NVRAM存储了存储器接口表，其中包含信息，供NVRAM控制器在计算机系统通电时自主地初始化NVRAM，而没有与NVRAM外部的固件和处理器交互。该信息由NVRAM控制器提供给处理器，以允许处理器访问NVRAM。
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公开(公告)号：CN106030512B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580010934.6
申请日：2015-01-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.C.斯万森 , C.B.特劳 , V.J.齐默 , M.布卢苏 , J.R.林兹利 , M.S.纳图 , D.齐亚卡斯 , R.W.孔 , M.兰加拉彦 , B.尼克尤 , K.D.布兰诺克 , R.J.万德利奇 , M.F.施瓦茨 , S.S.保洛夫斯基
Abstract: 与计算装置的初始化关联的平台控制器、计算机可读存储媒体和方法。在实施例中，平台控制器可包括引导控制器和与引导控制器耦合的一个或多个非易失性存储器模块。在实施例中，一个或多个非易失性存储器模块可在其上存储有第一和第二指令。第一指令当由托管平台控制器的计算装置的处理器执行时初始化计算装置。第二指令当由引导控制器执行时可使引导控制器监视由计算装置对第一指令的执行的至少一部分，并且可生成第一指令的所监视的执行的部分的跟踪。在实施例中，跟踪可存储在一个或多个非易失性存储器模块中。可以描述其它实施例和/或要求保护。
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公开(公告)号：CN103946826B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201180075093.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
Abstract: 描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中，PCMS存储器装置被用作层级中的一层，有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置（诸如DRAM）放在远存储器前面，并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
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公开(公告)号：CN103946814B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201180075150.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F9/4403
Abstract: 非易失性随机存取存储器(NVRAM)在计算机系统中用来存储允许NVRAM在通电时自主地初始化它本身的信息。计算机系统包括处理器、耦合到处理器的NVRAM控制器以及包括NVRAM控制器的NVRAM。NVRAM是可由处理器来字节重写和字节擦除的。NVRAM存储了存储器接口表，其中包含信息，供NVRAM控制器在计算机系统通电时自主地初始化NVRAM，而没有与NVRAM外部的固件和处理器交互。该信息由NVRAM控制器提供给处理器，以允许处理器访问NVRAM。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663456A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580045590.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C5/04 , G11C7/10 , G11C11/406 , G11C14/00
CPC classification number: G11C14/0018 , G11C5/04 , G11C7/1072 , G11C11/40615
Abstract: 描述了存储器模块、控制器和包括存储器模块的电子设备。在一个实施例中，存储器模块包括非易失性存储器和到易失性存储器总线的接口、用以从主机平台接收功率的至少一个输入功率轨以及控制器，所述控制器包括逻辑，其至少部分地包括硬件逻辑，用以将来自输入功率轨的功率从输入电压转换成不同于输入电压的至少一个输出电压。还公开和要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN106030512A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010934.6
申请日：2015-01-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.C.斯万森 , C.B.特劳 , V.J.齐默 , M.布卢苏 , J.R.林兹利 , M.S.纳图 , D.齐亚卡斯 , R.W.孔 , M.兰加拉彦 , B.尼克尤 , K.D.布兰诺克 , R.J.万德利奇 , M.F.施瓦茨 , S.S.保洛夫斯基
CPC classification number: G06F11/3476 , G06F9/4403 , G06F9/4416 , G06F11/1417 , G06F21/575 , G06F2201/84
Abstract: 与计算装置的初始化关联的平台控制器、计算机可读存储媒体和方法。在实施例中，平台控制器可包括引导控制器和与引导控制器耦合的一个或多个非易失性存储器模块。在实施例中，一个或多个非易失性存储器模块可在其上存储有第一和第二指令。第一指令当由托管平台控制器的计算装置的处理器执行时初始化计算装置。第二指令当由引导控制器执行时可使引导控制器监视由计算装置对第一指令的执行的至少一部分，并且可生成第一指令的所监视的执行的部分的跟踪。在实施例中，跟踪可存储在一个或多个非易失性存储器模块中。可以描述其它实施例和/或要求保护。
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公开(公告)号：CN103946812B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180075118.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.K.拉马努简 , R.阿加瓦尔 , 郑凯 , T.波尔佩迪 , C.C.拉德 , D.J.齐默曼 , M.P.斯瓦米纳桑 , D.齐亚卡斯 , M.J.库马 , B.N.库里 , G.J.欣顿
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
Abstract: 描述了用于集成存储器和存储分级体系的系统和方法，所述存储分级体系包括在计算机系统内的非易失性存储器层。在一个实施例中，PCMS存储器装置用作在分级体系中的一个层，有时被称作“远存储器”。将诸如DRAM的更高性能的存储器装置放置在远存储器的前面，并且用来屏蔽远存储器的性能限制中的一些。这些更高性能的存储器装置被称作“近存储器”。
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公开(公告)号：CN103946826A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075093.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
Abstract: 本发明描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中，PCMS存储器装置被用作层级中的一层，有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置（诸如DRAM）放在远存储器前面，并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
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公开(公告)号：CN103946812A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075118.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.K.拉马努简 , R.阿加瓦尔 , 郑凯 , T.波尔佩迪 , C.C.拉德 , D.J.齐默曼 , M.P.斯瓦米纳桑 , D.齐亚卡斯 , M.J.库马 , B.N.库里 , G.J.欣顿
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
Abstract: 描述了用于集成存储器和存储分级体系的系统和方法，所述存储分级体系包括在计算机系统内的非易失性存储器层。在一个实施例中，PCMS存储器装置用作在分级体系中的一个层，有时被称作“远存储器”。将诸如DRAM的更高性能的存储器装置放置在远存储器的前面，并且用来屏蔽远存储器的性能限制中的一些。这些更高性能的存储器装置被称作“近存储器”。
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