公开(公告)号：CN115723461A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202111005406.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司

Inventor： 朱昊枢 ,  任家安 ,  左志成 ,  吕善印 ,  袁修奎 ,  陈林森 ,  朱志坚

IPC: B41M5/40 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00

Abstract: 一种光学转移材料的制备方法，包括：提供基膜；在所述基膜上涂布UV树脂涂层；用具有微纳结构的模具将微纳结构模压复制在所述UV树脂涂层上并进行UV固化，模压时在所述UV树脂涂层与模具之间填充隔离剂；在所述UV树脂涂层具有微纳结构的一侧复合基底；剥离所述基膜。本发明提供的光学转移材料及其制备方法，通过模压时在UV树脂涂层与模具之间填充隔离剂，使得UV树脂涂层与模具容易剥离，并且UV树脂涂层转移至基底时基膜剥离容易，从而制作简单，工艺性好，且基膜可循环利用，同时光学转移材料表面无基膜，环保易降解。

公开(公告)号：CN112521872B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201910883750.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 ,  苏大维格(盐城)光电科技有限公司

Inventor： 朱昊枢 ,  叶瑞 ,  任家安 ,  左志成 ,  蔡文静 ,  吕善印 ,  陈林森 ,  朱志坚

IPC: B32B38/18

Abstract: 本发明公开一种转移膜的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上制备一层固化胶；提供一模具，将模具压印在固化胶；初步固化，在固化胶上形成定型的微结构图形凹槽；脱模；进行完全固化，得到转移膜。本发明还公开了一种转移纸，该方法包括：采用上述方法制备一转移膜；提供一底纸；在转移膜的微结构图形凹槽上或底纸上涂布一层胶；将转移膜与底纸压合在一起形成；剥离衬底；在转移膜被剥离衬底的表面进行印刷，得到转移纸。通过对固化胶进行初步固化，在固化胶上形成定型的微结构图形凹槽，使固化胶与模具之间的具有相对较小的粘接力，使脱模时，模具不会对微结构图形凹槽造成破坏，从而实现制作不同深度微结构图形凹槽的转移膜。

公开(公告)号：CN112521872A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910883750.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 ,  苏大维格(盐城)光电科技有限公司

Inventor： 朱昊枢 ,  叶瑞 ,  任家安 ,  左志成 ,  蔡文静 ,  吕善印 ,  陈林森 ,  朱志坚

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/21

Abstract: 本发明公开一种转移膜的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上制备一层固化胶；提供一模具，将模具压印在固化胶；初步固化，在固化胶上形成定型的微结构图形凹槽；脱模；进行完全固化，得到转移膜。本发明还公开了一种转移纸，该方法包括：采用上述方法制备一转移膜；提供一底纸；在转移膜的微结构图形凹槽上或底纸上涂布一层胶；将转移膜与底纸压合在一起形成；剥离衬底；在转移膜被剥离衬底的表面进行印刷，得到转移纸。通过对固化胶进行初步固化，在固化胶上形成定型的微结构图形凹槽，使固化胶与模具之间的具有相对较小的粘接力，使脱模时，模具不会对微结构图形凹槽造成破坏，从而实现制作不同深度微结构图形凹槽的转移膜。

公开(公告)号：CN115723461B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202111005406.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司

Inventor： 朱昊枢 ,  任家安 ,  左志成 ,  吕善印 ,  袁修奎 ,  陈林森 ,  朱志坚

IPC: B41M5/40 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00

Abstract: 一种光学转移材料的制备方法，包括：提供基膜；在所述基膜上涂布UV树脂涂层；用具有微纳结构的模具将微纳结构模压复制在所述UV树脂涂层上并进行UV固化，模压时在所述UV树脂涂层与模具之间填充隔离剂；在所述UV树脂涂层具有微纳结构的一侧复合基底；剥离所述基膜。本发明提供的光学转移材料及其制备方法，通过模压时在UV树脂涂层与模具之间填充隔离剂，使得UV树脂涂层与模具容易剥离，并且UV树脂涂层转移至基底时基膜剥离容易，从而制作简单，工艺性好，且基膜可循环利用，同时光学转移材料表面无基膜，环保易降解。

公开(公告)号：CN115674924A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110864986.7

申请日：2021-07-29

Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司

Inventor： 朱昊枢 ,  任家安 ,  左志成 ,  叶瑞 ,  吕善印 ,  袁修奎 ,  陈林森 ,  朱志坚

IPC: B41M5/03

Abstract: 一种深纹路图案转移膜、转移材料及其制备方法，深纹路图案转移膜包括基膜、UV树脂涂层及位于所述基膜与UV树脂涂层之间的化学层，所述化学层材料为水性聚氨酯体系、水性聚酯体系、水性环氧体系以及水性丙烯酸体系的一种或多种，所述UV树脂涂层厚度为1～50um，是所述化学层厚度的5～15倍，所述UV树脂涂层采用的UV树脂固化收缩率为1％～10％。本发明提供的深纹路图案转移膜、转移材料及其制备方法，解决了UV树脂涂层与基膜及模具之间粘接力大小的问题，并且操作简单，工序简便成本低，制得的深纹路图案转移材料微纳结构深度大，具有极强的表现力和防伪度，转移至基底后基膜可剥离循环利用，转移材料表面无基膜，环保易降解。