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公开(公告)号：CN109004060B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810837978.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器，以六氯铱酸铵、二辛基锡、九水合硝酸铝、乙醇和丙酸、氢氧化钾甲醇溶液、过氧苯甲酸叔丁酯、乙酸锰、硝酸钴、三茂钐为原料制备支撑层前驱体；以氧化石墨烯、环氧树脂、单硬脂酸甘油酯与二苯基硅二醇、石蜡为原料制备隔离层前驱体；将纳米粉加入隔离层前驱体中，再加入碳纳米管，制备加强层前驱体；在耐热基底上依次涂覆隔离层前驱体、加强层前驱体、支撑层前驱体，得到衬底；在衬底上利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，从而得到太赫兹波探测器，在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测。
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公开(公告)号：CN107170854B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710495198.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109411563A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811052425.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN106787733A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710086314.1
申请日：2017-02-17
Inventor： 田学农
IPC: H02M3/158
CPC classification number: H02M3/158 , H02M2001/0074
Abstract: 提出一种通过两级变换实现高升压变比直流升压变换的方法和电路，第一级升压电路的开关支路由两个MOS晶体管级联组成，通过比较输出电压与预设偏置电压产生关断信号以控制其通断；电路启动时第一级升压电路工作，输出电压升高后第一级电路受关断信号作用断开，同时第二升压电路开始提供稳定的高输出电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216500B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810835957.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器用衬底及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109216500A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810835957.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器用衬底及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109004060A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810837978.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109411563B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811052425.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN107170854A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710495198.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
CPC classification number: H01L31/1848 , H01L31/1136
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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