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公开(公告)号：CN107036741B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710298326.0
申请日：2017-05-01
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自修复石墨烯基压力传感器的制备方法。本发明通过在自修复高分子基体中加入石墨烯@银纳米线复合导电体，制得具有自修复功能的导电弹性体；然后将该自修复导电弹性体封装成压力传感器。本发明解决了传统的自修复导电高分子材料的导电性能和自修复性能难以同时优化的矛盾问题。本发明具有以下优点：1、石墨烯@银纳米线复合导电体后处理中无需烘干处理，可减少了石墨烯@银纳米线的硬团聚难题；2、石墨烯@银纳米线复合导电体在自修复高分子基体中更易形成三维交联网络结构；3、自修复石墨烯基压力传感器具有寿命长、导电性高、灵敏度高的优点。
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公开(公告)号：CN107118551B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710298327.5
申请日：2017-05-01
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C08L77/08 , C08K7/24 , C08K7/06 , C08K3/08 , C08G69/34 , C08G69/26 , C08G69/28 , C08J3/24 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开了一种基于仿生自修复压敏高分子材料制备方法。本发明首次公开的基于仿生自修复压敏高分子材料制备方法能有效解决传统的自修复压敏高分子材料的导电性能和自修复性能难以同时优化的矛盾问题。本发明具有以下优点：1、蜂窝状多孔银与线状银进行复合，可以实现零维材料和一维材料的结构互穿，可形成三维导电网络结构；2、蜂窝状多孔银与线状银进行复合，仅需要少量银填充量就可获得较高的导电性能；3、采用高分子多步合成工艺制备自修复压敏高分子材料，可有效提高蜂窝状多孔银与线状银在高分子基体中分散性。
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公开(公告)号：CN107118551A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710298327.5
申请日：2017-05-01
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C08L77/08 , C08K7/24 , C08K7/06 , C08K3/08 , C08G69/34 , C08G69/26 , C08G69/28 , C08J3/24 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开了一种基于仿生自修复压敏高分子材料制备方法。本发明首次公开的基于仿生自修复压敏高分子材料制备方法能有效解决传统的自修复压敏高分子材料的导电性能和自修复性能难以同时优化的矛盾问题。本发明具有以下优点：1、蜂窝状多孔银与线状银进行复合，可以实现零维材料和一维材料的结构互穿，可形成三维导电网络结构；2、蜂窝状多孔银与线状银进行复合，仅需要少量银填充量就可获得较高的导电性能；3、采用高分子多步合成工艺制备自修复压敏高分子材料，可有效提高蜂窝状多孔银与线状银在高分子基体中分散性。
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公开(公告)号：CN107036741A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710298326.0
申请日：2017-05-01
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自修复石墨烯基压力传感器及其制备方法。本发明通过在自修复高分子基体中加入石墨烯@银纳米线复合导电体，制得具有自修复功能的导电弹性体；然后将该自修复导电弹性体封装成压力传感器。本发明解决了传统的自修复导电高分子材料的导电性能和自修复性能难以同时优化的矛盾问题。本发明具有以下优点：1、石墨烯@银纳米线复合导电体后处理中无需烘干处理，可减少了石墨烯@银纳米线的硬团聚难题；2、石墨烯@银纳米线复合导电体在自修复高分子基体中更易形成三维交联网络结构；3、自修复石墨烯基压力传感器具有寿命长、导电性高、灵敏度高的优点。
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