公开(公告)号：CN108597974B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201810447449.0

申请日：2018-05-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 范荣磊 ,  沈明荣 ,  董雯 ,  黄冠平

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供n型单晶Si片，对n型单晶Si片的正反两面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S2.在步骤S1制绒后的n型单晶Si片的正面制作硼掺杂的p+发射极，反面制作磷掺杂的n+发射极，然后刻蚀Si片的边缘，并进行清洗；S3.在步骤S2中硼掺杂的p+发射极面上依次沉积Al2O3和ITO薄膜层；S4.在步骤S2中磷掺杂的n+发射极面上依次沉积Al2O3薄膜层、Ti和Pt金属层。本发明基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法使得Si光阴极的光电流密度明显提高，具有较高的光解水效率，同时稳定性增强、使用寿命长。

公开(公告)号：CN108597974A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810447449.0

申请日：2018-05-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 范荣磊 ,  沈明荣 ,  董雯 ,  黄冠平

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供n型单晶Si片，对n型单晶Si片的正反两面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S2.在步骤S1制绒后的n型单晶Si片的正面制作硼掺杂的p+发射极，反面制作磷掺杂的n+发射极，然后刻蚀Si片的边缘，并进行清洗；S3.在步骤S2中硼掺杂的p+发射极面上依次沉积Al2O3和ITO薄膜层；S4.在步骤S2中磷掺杂的n+发射极面上依次沉积Al2O3薄膜层、Ti和Pt金属层。本发明基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法使得Si光阴极的光电流密度明显提高，具有较高的光解水效率，同时稳定性增强、使用寿命长。