公开(公告)号：CN107819037B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201711284970.9

申请日：2017-12-07

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  陈冬蕾 ,  孙立宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种场效管，采用立式源极、漏极和栅极，在上面并排黏着更多的碳纳米管作为沟槽并将碳纳米管架空形成一个三维鳍式场效应晶体管器件。采用立式的栅极可以节省基底的平面面积，能够把工艺线宽做到最小。将碳纳米管架空可以提高载流子的弹道速度，使用多根碳纳米管能够提高电流密度，这些设计可以显著提高场效应晶体管的性能。将电极设计成立式的可以有效节省基底的平面面积，使得单个场效应晶体管可以做的更小，超小的晶体管不仅能显示出量子效应也使得同样大小的芯片上可以放下更多的晶体管，更加提高了芯片的性能。将碳纳米管架空使之不与基底接触，架空后可以提高载流子的弹道速度，使得晶体管具有更好的性能。

公开(公告)号：CN107819037A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711284970.9

申请日：2017-12-07

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  陈冬蕾 ,  孙立宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及一种场效管，采用立式源极、漏极和栅极，在上面并排黏着更多的碳纳米管作为沟槽并将碳纳米管架空形成一个三维鳍式场效应晶体管器件。采用立式的栅极可以节省基底的平面面积，能够把工艺线宽做到最小。将碳纳米管架空可以提高载流子的弹道速度，使用多根碳纳米管能够提高电流密度，这些设计可以显著提高场效应晶体管的性能。将电极设计成立式的可以有效节省基底的平面面积，使得单个场效应晶体管可以做的更小，超小的晶体管不仅能显示出量子效应也使得同样大小的芯片上可以放下更多的晶体管，更加提高了芯片的性能。将碳纳米管架空使之不与基底接触，架空后可以提高载流子的弹道速度，使得晶体管具有更好的性能。

公开(公告)号：CN207705200U

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201721693541.2

申请日：2017-12-07

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨湛 ,  陈涛 ,  刘会聪 ,  陈冬蕾 ,  孙立宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型涉及一种场效管，采用立式源极、漏极和栅极，在上面并排黏着更多的碳纳米管作为沟槽并将碳纳米管架空形成一个三维鳍式场效应晶体管器件。采用立式的栅极可以节省基底的平面面积，能够把工艺线宽做到最小。将碳纳米管架空可以提高载流子的弹道速度，使用多根碳纳米管能够提高电流密度，这些设计可以显著提高场效应晶体管的性能。将电极设计成立式的可以有效节省基底的平面面积，使得单个场效应晶体管可以做的更小，超小的晶体管不仅能显示出量子效应也使得同样大小的芯片上可以放下更多的晶体管，更加提高了芯片的性能。将碳纳米管架空使之不与基底接触，架空后可以提高载流子的弹道速度，使得晶体管具有更好的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利