公开(公告)号：CN102343633B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110294460.6

申请日：2011-09-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴玺 ,  赵超 ,  徐晓杰

IPC: B28D5/04

Abstract: 本发明公开了一种切片设备，用以切割单多晶晶块，所述切片设备包括线切割室以及切片设备砂浆循环及过滤系统，所述切片设备砂浆循环及过滤系统包括切片设备砂浆内循环及过滤系统以及切片设备砂浆外循环及过滤系统，所述切片设备中设有用以吸收砂浆中水分的吸水装置，所述吸水装置安装于切片设备砂浆循环及过滤系统中。本发明通过设置吸水装置来吸收砂浆中的水分，保证砂浆的分散性，避免砂浆发生沉淀及抱团等现象，增强砂浆的质量和切割能力，从而减小切片过程中隐裂片、厚薄片、线痕片、缺角片和碎片的比例，提高了切片良率，提升切片效益。

公开(公告)号：CN102343633A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110294460.6

申请日：2011-09-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴玺 ,  赵超 ,  徐晓杰

IPC: B28D5/04

Abstract: 本发明公开了一种切片设备，用以切割单多晶晶块，所述切片设备包括线切割室以及切片设备砂浆循环及过滤系统，所述切片设备砂浆循环及过滤系统包括切片设备砂浆内循环及过滤系统以及切片设备砂浆外循环及过滤系统，所述切片设备中设有用以吸收砂浆中水分的吸水装置，所述吸水装置安装于切片设备砂浆循环及过滤系统中。本发明通过设置吸水装置来吸收砂浆中的水分，保证砂浆的分散性，避免砂浆发生沉淀及抱团等现象，增强砂浆的质量和切割能力，从而减小切片过程中隐裂片、厚薄片、线痕片、缺角片和碎片的比例，提高了切片良率，提升切片效益。

公开(公告)号：CN102350743A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110295354.X

申请日：2011-09-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴玺 ,  徐晓杰 ,  赵超

IPC: B28D5/04

Abstract: 本发明公开了一种切片用硅晶棒加工方法，首先提供一个硅晶锭并将其固定于设计好的截断设备上，提供一个截除工具截除硅晶锭最顶部的杂质层；然后截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分；然后对硅晶锭进行开方并同时截除四周杂质层；再对开方后的硅晶棒进行清洗以及检测；最后将检测合格后的半成品硅晶棒再进行截断，最终制得成品硅晶棒。本发明实施例的切片用硅晶棒加工方法将正常工艺中硅晶锭先开方后截除顶部杂质层及顶部与底部低少子寿命部分的工艺方法革新为先截除硅晶棒顶部杂质层及顶部与底部低少子寿命部分后进行晶锭开方，如此设置，工艺加工工序少，材料损耗少，操作简单，成本相对降低。