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公开(公告)号：CN103526179B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310533755.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/42 , C23C16/448 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将其置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将多孔SiCOH薄膜真空热处理。本发明的制备方法克服了现有技术中高能量离子对薄膜的轰击所导致的薄膜损伤较大的缺点。由上述方法制备低介电常数薄膜材料的介电常数值为2.8，表面均匀，粗糙度低，绝缘性能和热稳定性好，并与微电子工艺具有较好的兼容性。
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公开(公告)号：CN105006522A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510343490.X
申请日：2015-06-19
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4253 , H01L51/0003 , H01L51/0032
Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池领域，涉及一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的薄膜太阳能电池基于倒置的平面结构，以一种FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，通过溶液法在低温条件下制备得到。本薄膜电池是以新型的FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，该种体系比起传统的MAPbI3钙钛矿体系具有更宽的吸收范围、更高的相转变温度以及更好的稳定性；避免基于传统倒置结构中高温烧结的弊端，能够在工业化生产中大大降低成本；本薄膜太阳能电池不仅制备方法简单、成本低，而且具有较好的重复性好，可实现低成本的卷对卷模式，在未来的工业化生产中具有十分潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104152850A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410315333.3
申请日：2014-07-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于以DMCPS环有机硅烷为前驱体，以含有弱极化元素或基团的CH4、CHF3中的至少一种作为掺杂源，采用电子回旋共振等离子体方法来制备薄膜。本发明提供的这种制备方法，其核心是向前驱体中掺入含有弱极化元素或基团的掺杂源，由于掺入大尺寸的CHx基团或弱极化的F原子，能够有效降低介电常数，确保最终得到的低介电常数薄膜既有适当的孔隙率，又有良好的薄膜特性。
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公开(公告)号：CN105006522B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510343490.X
申请日：2015-06-19
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池领域，涉及一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的薄膜太阳能电池基于倒置的平面结构，以一种FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，通过溶液法在低温条件下制备得到。本薄膜电池是以新型的FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，该种体系比起传统的MAPbI3钙钛矿体系具有更宽的吸收范围、更高的相转变温度以及更好的稳定性；避免基于传统倒置结构中高温烧结的弊端，能够在工业化生产中大大降低成本；本薄膜太阳能电池不仅制备方法简单、成本低，而且具有较好的重复性好，可实现低成本的卷对卷模式，在未来的工业化生产中具有十分潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN103531463A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310529073.5
申请日：2013-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76826 , H01L21/3105 , H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种低表面孔隙低介电常数薄膜材料制备方法，其包括如下步骤：提供硅衬底，对其清洗，并置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，并送入电子回旋共振等离子体设备中；调节控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将沉积得到的多孔SiCOH薄膜置于工位上，进行等离子体表面封孔处理。本发明的制备方法制备过程连续性好，避免了薄膜材料暴露于大气中受到污染。由本发明的制备方法制备的低表面孔隙低介电常数薄膜材料受到的轰击较小，质量高。同时，上述材料表面孔隙减少，降低了铜在低介电常数薄膜表面的扩散，有效改善了铜/低介电常数材料集成系统的电学性能。
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公开(公告)号：CN104538298A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410801923.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02112 , H01L21/02282
Abstract: 本发明公开低介电常数ZIF-8材料薄膜及其制备方法、用途，所述的制备方法包括以下步骤：（1）将衬底清洗，烘干；（2）将衬底进行亲水处理；（3）分别配制六水合硝酸锌水溶液和2-甲基咪唑的甲醇溶液；（4）取六水合硝酸锌水溶液及2-甲基咪唑的甲醇溶液反应，取出衬底，将表面反应液冲洗掉，吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜；（5）重复步骤（4）至硅衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。制备得到的ZIF-8材料薄膜薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性；可在多种基底上制备，尤其是能够在单晶硅、多晶硅上制备获得，和现有的硅基集成电路有高度的兼容性。
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公开(公告)号：CN103526179A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533755.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/42 , C23C16/448 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将其置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将多孔SiCOH薄膜真空热处理。本发明的制备方法克服了现有技术中高能量离子对薄膜的轰击所导致的薄膜损伤较大的缺点。由上述方法制备低介电常数薄膜材料的介电常数值为2.8，表面均匀，粗糙度低，绝缘性能和热稳定性好，并与微电子工艺具有较好的兼容性。
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