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公开(公告)号：CN101338196B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810022118.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/88 , C09K11/56 , C08L53/00 , C08F226/06 , C08F222/40 , C08F2/44
Abstract: 本发明公开了一种发光纳米复合材料及其制备，所述光电复合材料是由纳米硒化镉、纳硫化镉或纳米硫化锌中的一种修饰嵌段共聚物而得，所述嵌段共聚物选自N-苯基马来酰亚胺-4-乙烯基吡啶嵌段共聚物、N-苯基马来酰亚胺-N，N-二甲胺基丙烯酰胺嵌段共聚物或苯乙烯-4-乙烯基吡啶嵌段共聚物中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和非线性光学性能相对于一般两亲性嵌段共聚物有较大改善，而且通过可逆加成-断裂链转移活性聚合方法有效控制亲水亲油段的比例，以定量调节纳米复合物的光学性能，该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101338192A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810022119.3
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子荧光材料，它是由纳米硫化物修饰巯甲基化聚苯乙烯而成的，所述纳米硫化物选自纳米硫化镉、纳米硫化铜、纳米硫化锌、纳米硫化锰中的一种。其制备方法是，首先由4－乙烯基苄氯和苯乙烯聚合反应，制备氯甲基化聚苯乙烯；再进行巯甲基化，获得巯甲基化聚苯乙烯；最后原位合成纳米粒子，得到所需纳米修饰高分子材料。本发明获得的材料具有多端基修饰、纳米粒子含量可控、高分子经修饰后荧光增强和存在荧光位移的特点，在离子检测、光电能量转化方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101314665A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810022020.3
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种光电纳米复合材料及其制备，该光电纳米复合材料由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰聚(3－烷基噻吩)而得，所述聚(3－烷基噻吩)选自聚(3－丙基噻吩)，聚(3－丁基噻吩)，聚(3－己基噻吩)，聚(3－壬基噻吩)，聚(3－癸基噻吩)，聚(3－十二烷基噻吩)中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和三阶非线性光学性能相对于聚(3－烷基噻吩)有较大改善，而且该复合物具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101338192B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810022119.3
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子荧光材料，它是由纳米硫化物修饰巯甲基化聚苯乙烯而成的，所述纳米硫化物选自纳米硫化镉、纳米硫化铜、纳米硫化锌、纳米硫化锰中的一种。其制备方法是，首先由4-乙烯基苄氯和苯乙烯聚合反应，制备氯甲基化聚苯乙烯；再进行巯甲基化，获得巯甲基化聚苯乙烯；最后原位合成纳米粒子，得到所需纳米修饰高分子材料。本发明获得的材料具有多端基修饰、纳米粒子含量可控、高分子经修饰后荧光增强和存在荧光位移的特点，在离子检测、光电能量转化方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101314665B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810022020.3
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种光电纳米复合材料及其制备，该光电纳米复合材料由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰聚(3-烷基噻吩)而得，所述聚(3-烷基噻吩)选自聚(3-丙基噻吩)，聚(3-丁基噻吩)，聚(3-己基噻吩)，聚(3-壬基噻吩)，聚(3-癸基噻吩)，聚(3-十二烷基噻吩)中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和三阶非线性光学性能相对于聚(3-烷基噻吩)有较大改善，而且该复合物具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101319073B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810022012.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子材料，通过配位反应合成纳米硫化物修饰的4-乙烯基吡啶单体，然后和另一种单体苯乙烯通过无规共聚合成纳米硫化物修饰的4-乙烯基吡啶-苯乙烯无规共聚物。本发明的制备方法高效、简便、降低了生产成本并且易工业化实施，并可以通过控制4-乙烯基吡啶与苯乙烯的摩尔比控制高分子共聚物中的吡啶含量，进而控制纳米修饰高分子材料中纳米粒子的含量。获得的纳米修饰高分子在氙灯光源激发下产生的荧光强度比未经纳米修饰的高分子荧光增强2～3倍，在光、电、催化等领域有着一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101338196A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810022118.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/88 , C09K11/56 , C08L53/00 , C08F226/06 , C08F222/40 , C08F2/44
Abstract: 本发明公开了一种发光纳米复合材料及其制备，所述光电复合材料是由纳米硒化镉、纳硫化镉或纳米硫化锌中的一种修饰嵌段共聚物而得，所述嵌段共聚物选自N－苯基马来酰亚胺－4－乙烯基吡啶嵌段共聚物、N－苯基马来酰亚胺－N，N－二甲胺基丙烯酰胺嵌段共聚物或苯乙烯－4－乙烯基吡啶嵌段共聚物中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和非线性光学性能相对于一般两亲性嵌段共聚物有较大改善，而且通过可逆加成—断裂链转移活性聚合方法有效控制亲水亲油段的比例，以定量调节纳米复合物的光学性能，该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101319073A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810022012.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子材料，通过配位反应合成纳米硫化物修饰的4－乙烯基吡啶单体，然后和另一种单体苯乙烯通过无规共聚合成纳米硫化物修饰的4－乙烯基吡啶－苯乙烯无规共聚物。本发明的制备方法高效、简便、降低了生产成本并且易工业化实施，并可以通过控制4－乙烯基吡啶与苯乙烯的摩尔比控制高分子共聚物中的吡啶含量，进而控制纳米修饰高分子材料中纳米粒子的含量。获得的纳米修饰高分子在氙灯光源激发下产生的荧光强度比未经纳米修饰的高分子荧光增强2～3倍，在光、电、催化等领域有着一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN102061067B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010594860.4
申请日：2010-12-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三阶非线性光学性质的复合材料的制备方法，使制得的复合材料同时具有磁性，该复合材料由纳米四氧化三铁、纳米硫化镉修饰聚噻吩而得，所述聚噻吩用高锰酸钾氧化噻吩制得，四氧化三铁和硫化镉分别用原位生成法制备，纳米四氧化三铁与聚噻吩以配位键连接，纳米硫化镉包裹在纳米四氧化三铁表面，纳米粒子粒径为2～20nm，在整个复合材料中的含量为0.1～1mol/mol。该复合材料在532nmNd:YAG激光光源激发下，对激光有较强的非线性折射和吸收，非线性极化率比纳米粒子及高分子强2~4倍。本发明获得的材料具有磁性，在采用所述PTh-Fe3O4/CdS材料制备高分子纳米复合薄膜时，可通过磁场或电场对高分子纳米复合材料的自组装结构进行设计，提高材料的性能。
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公开(公告)号：CN102061067A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010594860.4
申请日：2010-12-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三阶非线性光学性质的复合材料的制备方法，使制得的复合材料同时具有磁性，该复合材料由纳米四氧化三铁、纳米硫化镉修饰聚噻吩而得，所述聚噻吩用高锰酸钾氧化噻吩制得，四氧化三铁和硫化镉分别用原位生成法制备，纳米四氧化三铁与聚噻吩以配位键连接，纳米硫化镉包裹在纳米四氧化三铁表面，纳米粒子粒径为2～20nm，在整个复合材料中的含量为0.1～1mol/mol。该复合材料在532nmNd:YAG激光光源激发下，对激光有较强的非线性折射和吸收，非线性极化率比纳米粒子及高分子强2~4倍。本发明获得的材料具有磁性，在采用所述PTh-Fe3O4/CdS材料制备高分子纳米复合薄膜时，可通过磁场或电场对高分子纳米复合材料的自组装结构进行设计，提高材料的性能。
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