公开(公告)号：CN102936208A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210469630.4

申请日：2012-11-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 路建美 ,  缪世峰 ,  李华

IPC: C07C245/08 ,  C07C245/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28

Abstract: 本发明公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基；R为N,N-二C1～C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基；本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

公开(公告)号：CN102936208B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210469630.4

申请日：2012-11-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 路建美 ,  缪世峰 ,  李华

IPC: C07C245/08 ,  C07C245/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28

Abstract: 本发明公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，DAK为3,3’-二苯甲酰基；R为N,N-二C1～C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基；本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

公开(公告)号：CN102924461A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210469628.7

申请日：2012-11-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 路建美 ,  缪世峰 ,  李华

IPC: C07D487/04 ,  C07D487/10 ,  C07D209/48 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种基于酰亚胺骨架的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，Ar为R为N,N-二C1～C6烷基苯基、N,N-二苯基氨基苯基或对羟基苯基；本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。