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公开(公告)号：CN107990918A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710984186.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 苏州大学
IPC: G01D5/16
Abstract: 本发明公开一种通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，包括以下步骤：在基体上形成若干个基本结构单元，并将若干个基本结构单元与基本结构单元堆砌组装形成具有网络结构的一级基本几何单元，并形成位于相邻基本几何单元之间的一级接触连接区；将若干个所述一级基本几何单元通过阵列堆积组合形成二级几何结构，并形成位于相邻一级基本几何单元之间的二级接触连接区；步骤三、在基体上至少两处点导电胶胶从而形成压阻式传感器的电极，获得压阻传感器。本发明方法获得的高敏感度压阻式传感器具有设计灵活、制作简便，与现有各种传感器制作方法结合良好，具有普适性。
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