公开(公告)号：CN109411534B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201811269359.3

申请日：2018-10-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 胡军 ,  齐灿 ,  欧阳丽颖

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种二维拓扑绝缘体，所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III‑V族化合物单层膜。本发明还公开了所述二维拓扑绝缘体的制备方法和应用。本发明的二维拓扑绝缘体，具有良好拓扑绝缘性，衬底上的原子结构也非常稳定，能在高于室温的条件下保持拓扑绝缘性。

公开(公告)号：CN109411534A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811269359.3

申请日：2018-10-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 胡军 ,  齐灿 ,  欧阳丽颖

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种二维拓扑绝缘体，所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III-V族化合物单层膜。本发明还公开了所述二维拓扑绝缘体的制备方法和应用。本发明的二维拓扑绝缘体，具有良好拓扑绝缘性，衬底上的原子结构也非常稳定，能在高于室温的条件下保持拓扑绝缘性。