一种低功耗芯片的过温保护电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112859998A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110238498.5

    申请日:2021-03-04

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 黄祥林 李富华

    Abstract: 本发明提供一种低功耗芯片的过温保护电路,包括:第一电流镜、第二电流镜、PMOS管PM3、NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、三极管Q1、Q2、运算放大器AMP、反相器INV1和INV2,运算放大器AMP作为比较器使用,运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的栅极连接、反相端接在了与温度无关的基准电压Vref上、输出端与反相器INV1连接,反相器INV1与反相器INV2串联,反相器INV1的输出信号OVT_N输入到NMOS管NM3的栅极,反相器INV2的输出信号OVT_P输入到PMOS管PM3的栅极和NMOS管NM4的栅极,通过比较运算放大器AMP同相端的电压VNTAT与反相端的电压Vref,从而控制输出信号OVT_N、OVT_P为高电平或低电平,从而改变PMOS管PM3、NMOS管NM3和NMOS管NM4的通断状态,使得温度未超过过温点时芯片正常工作、温度超过过温点时芯片受保护被关闭。

    一种新型信号上升沿边沿检测电路

    公开(公告)号:CN108964638A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810530907.7

    申请日:2018-05-29

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: H03K5/1534

    Abstract: 为了解决待检测的数据脉冲信号的频率大于等于时钟频率的二分频时,传统的双触发器边沿检测电路的结构无法检测或者会漏检测数据脉冲信号的沿的变化的问题,本发明提出一种新型信号上升沿边沿检测电路,其不采用触发器DFF,而是采用锁存器Dlatch构成边沿检测电路,其能够检测更加接近时钟频率的待测数据脉冲信号的边沿变化,且能够改善传统的双边沿检测电路的器件延时情况。

    一种提高输入端口抗干扰性的电路结构

    公开(公告)号:CN104375550A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410634355.6

    申请日:2014-11-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高输入端口抗干扰性的电路结构,包括供电电源、信号输入端、施密特电路和RC滤波结构,所述信号输入端连接到施密特电路,所述供电电源经RC滤波结构连接到施密特电路的电源输入端,所述RC滤波结构包括一个电阻和电容,所述电阻的一端连接至供电电源,所述电阻的另一端分别连接到施密特电路的电源输入端和电容的一端,所述电容的另一端接地。本发明能够有效消除输入端口和电源上的干扰,且结构简单,制造成本低。

    一种低功耗振荡器电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101951223A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010503179.4

    申请日:2010-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种低功耗振荡器电路,包括检测部分和整形控制部分,检测部分具有两个参考电压,整形控制部分包括整形电路、电容、充电恒流源和放电恒流源,其特征在于:在放电恒流源回路中,串联有电子开关;检测部分设有一个比较器和一个选通开关,选通开关一端连接比较器的同相端,电容的波形输出端连接至比较器的反相端,比较器的输出端连接至整形电路的输入端;所述电子开关和选通开关由整形电路的输出端同步控制,当电子开关闭合时,选通开关连通低的参考电压,当电子开关断开时,选通开关连通高的参考电压;对电容放电的恒流源的电流值大于对电容充电的恒流源的电流值。本发明通过一个比较器的复用,简化了电路,降低了振荡器的功耗。

    电压比较器及其电流极限控制电路

    公开(公告)号:CN114825878A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210632854.6

    申请日:2022-06-07

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 李富华 宋爱武

    Abstract: 本申请提供电压比较器以及电流极限控制电路,其中,电压比较器的同相输入端和反相输入端分别与第一三极管和第二三极管连接,第一电流镜提供恒流电源、并且与第一三极管和第二三极管的基极连接,第一三极管的集电极与第二电流镜连接,第三电流镜为恒流电源、并且分别与第一三极管和第二三极管的发射极连接,第二电流镜的输出端与第三电流镜的输出端与反相器连接,反相器的输出端为电压比较器的输出端,当同相输入端的电压大于反相输入端的电压时,流过第一二极管的电流及第二电流镜输出端的电流大于第三电流镜输出端的电流,使得第二电流镜输出端输出高电平到反相器,经过反相器的反相作用,电压比较器的输出端输出低电平。

    一种低压差线性稳压器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104777871A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510233564.4

    申请日:2015-05-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种低压差线性稳压器,包括:由第一运放AMP1和第二运放AMP2级联构成的误差放大器;第一运放调整管MK1;第二运放调整管MK2;输出调整管MP;第一反馈电阻RF1和第二反馈电阻RF2;由电容CM和可变电阻RM串联构成的密勒补偿电路。本发明采用CM和RM构成的密勒补偿电路代替缓冲器,避免了现有技术中在驱动相同负载情况下需要更大的MP,导致芯片面积增大的问题;同时,通过MK1、MK2反馈负载电流至误差放大器偏置电流来调整误差放大器的偏置电流,在不需要额外的辅助电路的情况下,也能提高瞬态响应性能,以此实现了在保证LDO性能指标的前提下,减小芯片的设计复杂度和面积,降低成本的目的。

    一种抗干扰复位电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104283534A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410600733.9

    申请日:2014-10-31

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种抗干扰复位电路,包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接、栅极接地的PMOS管和反相器电路,所述PMOS管和电容器的连接点与反相器电路的输入端连接,所述反相器电路的输出端连接外电路,所述反相器电路包括依次串联连接的第一反相器、第二反相器和第三反相器,所述第一反相器和第二反相器的电源输入端连接于所述PMOS管的漏极。本发明结构简单,不需要增加元器件,没有增加芯片面积和成本,且提高了复位电路抗干扰的能力。

    一种新型双边沿检测电路

    公开(公告)号:CN108599744B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201810529053.0

    申请日:2018-05-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 为了解决待检测的数据脉冲信号的频率大于等于时钟频率的二分频时,传统的双触发器边沿检测电路的结构无法检测或者会漏检测数据脉冲信号的沿的变化的问题,本发明提出一种新型信号沿边沿检测电路,其不采用触发器DFF,而是采用锁存器Dlatch构成边沿检测电路,其能够检测更加接近时钟频率的待测数据脉冲信号的边沿变化,且能够改善传统的双边沿检测电路的器件延时情况。

    一种新型信号上升沿边沿检测电路

    公开(公告)号:CN108964638B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN201810530907.7

    申请日:2018-05-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 为了解决待检测的数据脉冲信号的频率大于等于时钟频率的二分频时,传统的双触发器边沿检测电路的结构无法检测或者会漏检测数据脉冲信号的沿的变化的问题,本发明提出一种新型信号上升沿边沿检测电路,其不采用触发器DFF,而是采用锁存器Dlatch构成边沿检测电路,其能够检测更加接近时钟频率的待测数据脉冲信号的边沿变化,且能够改善传统的双边沿检测电路的器件延时情况。

    一种新型信号下降沿边沿检测电路

    公开(公告)号:CN109004920B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201810529067.2

    申请日:2018-05-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 为了解决待检测的数据脉冲信号的频率大于等于时钟频率的二分频时,传统的双触发器边沿检测电路的结构无法检测或者会漏检测数据脉冲信号的下降沿的变化的问题,本发明提出一种新型信号下降沿边沿检测电路,其不采用触发器DFF,而是采用锁存器Dlatch构成边沿检测电路,其能够检测更加接近时钟频率的待测数据脉冲信号的边沿变化,且能够改善传统的双边沿检测电路的器件延时情况。

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