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发明公开
硅氧修饰的高镍金属氧化物材料及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110364719A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910674472.8

申请日：2019-07-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 郑军伟 , 曹海尚 , 戴惠 , 杜芳惠 , 周群

IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种硅氧修饰的高镍金属氧化物材料及制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：a、制备烷基硅氧烷溶液；b、将高镍金属氧化物加入烷基硅氧烷溶液中分散，对高镍金属氧化物表面进行烷基硅氧烷修饰；c、通过高温处理制备硅氧修饰的高镍金属氧化物材料。本发明还要求保护上述方法所制备的电极材料。本发明所制备电极材料表面的修饰层厚度极薄且可控，对湿度敏感性低，所得高镍金属氧化物正极材料界面稳定，能够极大改善相应的锂离子电池的循环和储存性能。

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