公开(公告)号：CN101544805A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910031589.0

申请日：2009-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 程振平 ,  施苏萍 ,  朱秀林 ,  张丽芬 ,  朱健

IPC: C08L39/08 ,  C08F292/00

Abstract: 本发明公开了一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法，包括以下步骤：(1)以纳米二氧化硅粒子为核，制备聚4－乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子；(2)在聚4－乙烯基吡啶层上负载贵金属，得到以聚4－乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的贵金属/聚合物纳米杂化粒子；由于本发明得到以聚4－乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的核壳结构杂化纳米粒子，其中聚4－乙烯吡啶层的厚度以及纳米SiO2粒子的粒径都可以调节，因此，最终的贵金属/聚合物纳米杂化粒子的比表面具有可调节性；同时由于聚4－乙烯吡啶包裹在纳米SiO2粒子的表面，可以充分负载贵金属，因此提高了聚4－乙烯吡啶的利用率。

公开(公告)号：CN101544805B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910031589.0

申请日：2009-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 程振平 ,  施苏萍 ,  朱秀林 ,  张丽芬 ,  朱健

IPC: C08L39/08 ,  C08F292/00

Abstract: 本发明公开了一种制备贵金属/聚合物纳米杂化粒子的方法，包括以下步骤：(1)以纳米二氧化硅粒子为核，制备聚4-乙烯基吡啶层包裹的纳米二氧化硅粒子；(2)在聚4-乙烯基吡啶层上负载贵金属，得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的贵金属/聚合物纳米杂化粒子；由于本发明得到以聚4-乙烯吡啶负载贵金属为壳层，纳米SiO2粒子为核的核壳结构杂化纳米粒子，其中聚4-乙烯吡啶层的厚度以及纳米SiO2粒子的粒径都可以调节，因此，最终的贵金属/聚合物纳米杂化粒子的比表面具有可调节性；同时由于聚4-乙烯吡啶包裹在纳米SiO2粒子的表面，可以充分负载贵金属，因此提高了聚4-乙烯吡啶的利用率。