公开(公告)号：CN113113500A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110383960.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴成坤 ,  操礼阳 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜 ,  苏晓东

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，通过等离子体刻蚀介质层的方式能够制备均匀的全角度陷光微纳复合绒面，提高了太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN113113500B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110383960.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴成坤 ,  操礼阳 ,  顾思维 ,  卢曼婷 ,  辛煜 ,  苏晓东

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，通过等离子体刻蚀介质层的方式能够制备均匀的全角度陷光微纳复合绒面，提高了太阳能电池的光电转换效率。