公开(公告)号：CN101409106B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810234786.8

申请日：2008-10-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 朱巧明 ,  王宜怀 ,  刘纯平 ,  张云坤 ,  章建民

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明公开了一种Flash存储器在线编程控制方法，包括擦除操作和写入操作，其特征在于：在RAM中预置Flash存储器加高压期间运行语句以及返回语句的机器码，所述Flash存储器加高压期间运行语句包括向状态寄存器写入中断标志以启动对应命令的语句，以及判断等待命令完成的语句；在擦除操作和写入操作过程中，在加高压期间转向RAM中进行程序运行。本发明将加高压期间引起的不稳定因素与Flash存储器的擦除、写入操作独立开来，控制方法具备通用性，编程方便，并确保了Flash存储器在线编程的稳定性。

公开(公告)号：CN101409106A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810234786.8

申请日：2008-10-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 朱巧明 ,  王宜怀 ,  刘纯平 ,  张云坤 ,  章建民

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明公开了一种Flash存储器在线编程控制方法，包括擦除操作和写入操作，其特征在于：在RAM中预置Flash存储器加高压期间运行语句以及返回语句的机器码，所述Flash存储器加高压期间运行语句包括向状态寄存器写入中断标志以启动对应命令的语句，以及判断等待命令完成的语句；在擦除操作和写入操作过程中，在加高压期间转向RAM中进行程序运行。本发明将加高压期间引起的不稳定因素与Flash存储器的擦除、写入操作独立开来，控制方法具备通用性，编程方便，并确保了Flash存储器在线编程的稳定性。