公开(公告)号：CN104176734A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410457735.7

申请日：2014-09-10

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  卓其奇 ,  王琪 ,  张一萍

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开一种掺氮石墨烯的制备方法，包括以下步骤：通过热阻蒸发将芳香烃的小分子蒸镀到二氧化硅的硅片上形成前驱物层，所述香烃的小分子为9,10-二（2-萘基）蒽、并五苯 中的一种；再通过电子束蒸发将铜蒸镀到前驱物层与硅片相背的表面上从而形成铜层；将样品放入到管式炉中，通入200sccm的氩气，保持压力为10mtorr，升温退火15分钟，在铜层的催化作用下且在600～1000℃高温退火，将形成前驱物层转变为石墨烯层；将经过步骤四的退火后的硅片放入刻蚀溶液中浸泡10分钟，去除作为催化剂的铜层。本发明制备工艺将石墨烯直接生长到基底上，避免转移等操作，降低了石墨烯的生长温度。

公开(公告)号：CN104195512A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410458676.5

申请日：2014-09-10

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙旭辉 ,  卓其奇 ,  王琪 ,  张一萍

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开一种在介电材料上直接生长石墨烯的方法，包括以下步骤：通过热阻蒸发将芳香烃的小分子蒸镀到二氧化硅的硅片上形成前驱物层，所述香烃的小分子为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、N,N'-二苯基-N,N'-（1-萘基）-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种；再通过电子束蒸发将铜蒸镀到前驱物层与硅片相背的表面上从而形成铜层；将样品放入到管式炉中，通入200sccm的氩气，保持压力为10mtorr，升温退火15分钟，在铜层的催化作用下且在600～1000℃高温退火，将形成前驱物层转变为石墨烯层。本发明将石墨烯直接生长到基底上，避免转移等操作，降低了石墨烯的生长温度，也打开了石墨烯的禁带，使得石墨烯变为半导体材料。