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公开(公告)号：CN110459875A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910741121.4
申请日：2019-08-12
Applicant: 苏州大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面，该基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面包括由上至下依次设置的上层金属层、介质基板和下层金属层，上层金属层和下层金属层均由大小相等的正方形贴片周期阵列而成，上层金属层和下层金属层的正方形贴片在X和Y方向上均存在相对偏移。本发明的基于紧耦合双面贴片结构的人工电介质表面的等效相对介电常数的调节范围较宽，上限值较高，可以满足现有高性能应用场合下对电磁波灵活调控的需要。本发明提出人工电介质表面的单元谐振频率较高，可以满足在较高微波频率比如在20GHz以上实现较高相对介电常数的要求。
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